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标题: vasp中如何把一个额外电子加入到特定的原子上 [打印本页]

作者
Author: zhongyuabc 时间: 2019-1-14 16:50
标题: vasp中如何把一个额外电子加入到特定的原子上
最近看到一篇文献，文献中提到把光生电子加入到体系中的特定Ti位点上，不知道是如何操作？谢谢前辈们解答（附件中为原文与补充文件）

作者
Author: ggdh 时间: 2019-1-15 21:52
按文中说的，我猜是把那个有电子的原子的magmom设置大一点。

作者
Author: zhongyuabc 时间: 2019-1-16 10:09

ggdh 发表于 2019-1-15 21:52
按文中说的，我猜是把那个有电子的原子的magmom设置大一点。

嗯，是的，昨天原文作者告诉我，有两个关键点（1）要把想要电子Trapping 的那个Ti与O的距离人为拉大一点；（2）把有光生电子的那个Ti的magmom设置为1，其他的Ti设置为0.

作者
Author: jiangning198511 时间: 2019-1-16 14:53

zhongyuabc 发表于 2019-1-16 10:09
嗯，是的，昨天原文作者告诉我，有两个关键点（1）要把想要电子Trapping 的那个Ti与O的距离人为拉大一点 ...

VASP手册中明确写了带电荷的表面给出的结果不可信，不知道为什么这个文章里面采用这个方法

作者
Author: jiangning198511 时间: 2019-1-16 14:58
It is important to emphasize that the total energy can not be corrected for charged slabs, since a charged slab results in an electrostatic potential that grows linearly with the distance from the slab (corresponding to a fixed electrostatic field). It is fairly simple to show that as a result of the interaction between the charged slab and the compensating background, the total energy depends linearly on the width of the vacuum. Presently, no simple a posteriori correction scheme is known or implemented in VASP. Total energies from charged slab calculations are hence useless, and can not be used to determine relative energies.
@卡开发发

作者
Author: 卡开发发 时间: 2019-1-16 15:26

jiangning198511 发表于 2019-1-16 14:58
It is important to emphasize that the total energy can not be corrected for charged slabs, since a c ...

确实手册这个说法确实是严格的，或者说真的要比较带电表面的能量其实需要对体系做额外的修正，比如Markov-Payne等。不过，加电荷的表面若只是定性比较的话，只要格子大小相同也能比较相对趋势，然后再考虑文章中其实测试了考虑加H和加一个电子两种结果，其实差别不是很大（SI的table S2）。真要类似的方法做还是建议用一些能够修正表面带电情况的一些程序，比如QE等，至少看上去会比较靠谱。

作者
Author: zhongyuabc 时间: 2019-1-16 15:53

卡开发发发表于 2019-1-16 15:26
确实手册这个说法确实是严格的，或者说真的要比较带电表面的能量其实需要对体系做额外的修正，比如Markov ...

哇！前辈的解释好到位，赞赞赞!

作者
Author: 刘聪 时间: 2020-9-21 11:15

zhongyuabc 发表于 2019-1-16 10:09
嗯，是的，昨天原文作者告诉我，有两个关键点（1）要把想要电子Trapping 的那个Ti与O的距离人为拉大一点 ...

请问怎么把有光生电子的那个Ti的magmom设置为1，其他的Ti设置为0，百度了一下不知道怎么弄，可不可以说的详细一点

作者
Author: renj864878110 时间: 2022-6-29 18:03

zhongyuabc 发表于 2019-1-16 10:09
嗯，是的，昨天原文作者告诉我，有两个关键点（1）要把想要电子Trapping 的那个Ti与O的距离人为拉大一点 ...

你好，我想问的是：如何设置ISIF？设置为2还是3？

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