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标题: 荧光光谱绘制和退激过程的hole-electron以及NTO图一问 [打印本页]

作者
Author: liaorongbao 时间: 2019-4-24 11:33
标题: 荧光光谱绘制和退激过程的hole-electron以及NTO图一问
第一个问题：我是这样获得荧光退激振子强度和退激发射波长的，大家帮把个关看下有没有错误
第4.1步：在TD优化过的S1稳定结构的基础上，采用如下方法把S1电子结构对应的平衡溶剂信息记录到Hg41.chk中
%chk=Hg41.chk
#P CAM-B3LYP/genecp TD scrf(externaliteration,read,solvent=n,n-DiMethylAcetamide)

-----

noneq=write

从第4.1步结果中获得S1的能量E(S1)=-1621.73712369    a.u.
最后一次TD计算结果信息摘录如下：
Excited State 1:    Singlet-A    2.5117 eV  493.63 nm  f=2.1362
After PCM corrections, the energy is  -1621.73712369    a.u.

下边执行命令：cp  Hg41.chk  Hg42.chk，复制Hg41.chk产生Hg42.chk
第4.2步：然后采用如下方法读取第4.1步获得的溶剂信息，以稳定的S1结构作为结构，获得S0电子态在非平衡溶剂(且并非最稳定的S0结构)下的能量：E(S0')=-1621.82213535
%chk=Hg42.chk
#P CAM-B3LYP/genecp geom=check guess=read scrf(read,solvent=n,n-DiMethylAcetamide)
----
noneq=read

结果信息摘录如下：
SCF Done:  E(RCAM-B3LYP) =  -1621.82213535    A.U. after 11 cycles
         NFock= 11  Conv=0.62D-08    -V/T= 2.0247

计算退激荧光发射光谱能量的方法是deltaE=E(S1)-E(S0')=-1621.73712369+1621.82213535=0.085au=2.3133eV=535.95nm

然后采用 f=2.1362在535.95nm位置处做出荧光图谱。而不是采用 f=2.1362在以上493.63nm处做荧光图谱。
由于两个荧光峰位置相差535.95-493.63=42nm，所以有点担心，如有错误请各位老师斧正

第二个问题：我是这样做退激过程的NTO和hole-electron图的
即为直接取最终Hg42.chk获得的Hg42.fchk文件，结合第4.2步获得的42.log文件，获得退激hole图片和electron图片。(大概)再采用Multiwfn产生.wfn(似乎是.fch，记不清了)文件获得两NTO轨道
这个过程有没有问题？
另外，这样获得的退激NTO轨道以及空穴hole轨道和电子electron轨道与激发过程OPA对应的结果应该反过来解读(因为退激是通过激发间接算出来的)，是不是应该这样？

第三个问题：
顺便问下S1优化即为TD root=1的结构优化方法：#P CAM-B3LYP/genecp TD=(Root=1) scrf=(solvent=n,n-DiMethylAcetamide)
这种格式的结构优化到底是态特定法结构优化呢还是线性响应法呢。按照Sob老师博文我的理解是线性响应法的优化方法，不知是否如此。

作者
Author: sobereva 时间: 2019-4-24 23:20
1 没错。LR和SS这样的能量差是很正常的

2 不合理。因为你没用IOp(9/40)选项输出更多的组态系数
NTO计算方法详见
使用Multiwfn做自然跃迁轨道(NTO)分析
http://sobereva.com/377（http://bbs.keinsci.com/thread-5980-1-1.html）

是

3 关键词没错。对应LR方式考虑溶剂进行优化

作者
Author: liaorongbao 时间: 2019-4-25 10:12
收到Sob老师回复，立马矫正。谢啦！

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