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标题: MS计算半导体晶面能带结构,态密度结果显示出导体特性 [打印本页]

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linyi    时间: 2019-6-12 11:53
标题: MS计算半导体晶面能带结构,态密度结果显示出导体特性
用MS计算半导体晶面能带结构,态密度结果显示出导体特性(该结果有悖于已发论文数据),请教MS计算时在什么地方设置出错了?谢谢!
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yiranfengbai    时间: 2019-6-12 17:36
磁性spin设置和LDA+U
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卡开发发    时间: 2019-6-13 00:34
如果bulk做出来不是0 gap,那么就不是导体,如果这个结果也有悖于已发表论文,那么有可能是理论方法的问题。表面的情况是因为有表面态贡献,原则上从PDOS也可能看出来,一般不会拿表面态来说导电的事情,能够提供的载流子数目太少了。
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linyi    时间: 2019-6-13 07:10
卡开发发 发表于 2019-6-13 00:34
如果bulk做出来不是0 gap,那么就不是导体,如果这个结果也有悖于已发表论文,那么有可能是理论方法的问题 ...

bulk算出来的结果与实验值相当,用hse06做的计算,晶面带结构也用同样方法计算,结果出来就是导体特性,很是疑惑,不知是否有招解决掉该问题?
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linyi    时间: 2019-6-13 07:15
yiranfengbai 发表于 2019-6-12 17:36
磁性spin设置和LDA+U

算bulk的时候,当时没有考虑spin和LDA+U,但是算出band gap数值与实验值非常接近,如果算表面的时候加上LDA+U和spin这个影响有多大,我再试试,谢谢
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卡开发发    时间: 2019-6-13 09:34
linyi 发表于 2019-6-13 07:10
bulk算出来的结果与实验值相当,用hse06做的计算,晶面带结构也用同样方法计算,结果出来就是导体特性, ...

HSE都算不到理想结果的体系最好不要指望DFT+U,得从体系本身找原因,我认为这种应该最有可能就是表面态引起的。这样也只好看看用H之类的把表面钝化一下来消除表面态。如果表面结构的gap对你的研究不重要,那么不做处理比较合适。
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granvia    时间: 2019-6-13 12:16
卡开发发 发表于 2019-6-13 09:34
HSE都算不到理想结果的体系最好不要指望DFT+U,得从体系本身找原因,我认为这种应该最有可能就是表面态引 ...

从实验角度考虑,没有证据表明表面被H钝化吧?表面重构倒是更有可能。一切都该以实验结构为标准啊。另外,HSE并不意味着一定是self-interaction free的吧? 个人看法
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卡开发发    时间: 2019-6-13 13:05
granvia 发表于 2019-6-13 12:16
从实验角度考虑,没有证据表明表面被H钝化吧?表面重构倒是更有可能。一切都该以实验结构为标准啊。另外 ...

这点我同意,只是说要消除表面态不得已的手段而已,实际体系这种表面态肯定是存在的,所以上面已经说了,不强调gap的问题不作处理比较合适。至于HSE不是self-interaction free,但从测试的情况看大部分情况都还行。
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jiewei    时间: 2019-6-13 16:18
别纠结了,你计算的问题没有错,作图的时候散色的问题。
Phys. Chem. Chem. Phys., 2015, 17, 4919--4925
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linyi    时间: 2019-6-14 15:28
卡开发发 发表于 2019-6-13 09:34
HSE都算不到理想结果的体系最好不要指望DFT+U,得从体系本身找原因,我认为这种应该最有可能就是表面态引 ...

这两天用DFT+U跑了一下,结果确实如你说的,没有什么效果,后期我再看看,估计还是我计算的时候某些地方没设置好,毕竟发表的一些文章相关晶面banggap计算也有个2.2到2.3eV之间,后期再来请教
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linyi    时间: 2019-6-14 15:35
yiranfengbai 发表于 2019-6-12 17:36
磁性spin设置和LDA+U

调整了相关的参数,效果不明显,后续再做尝试,谢谢
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zhouxiao0701    时间: 2023-5-4 10:17
jiewei 发表于 2019-6-13 16:18
别纠结了,你计算的问题没有错,作图的时候散色的问题。
Phys. Chem. Chem. Phys., 2015, 17, 4919--4925

那老师,应该怎么解决呢?
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leeru    时间: 2023-5-7 12:32
你切完表面后做结构优化了吗?




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