大家好!
最近在学习用oniom模拟固体发光,在查阅资料的时候看到sob老师的帖子说qeq电荷对静电势拟合的效果很不理想,
于是想通过RESP电荷拟合静电势,然后再进行进行相关计算,前期主要是构型优化。
我查阅了高斯16的手册,有如下描述: (, 下载次数 Times of downloads: 18)
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[attach]22082[/attach]
于是就在oniom的输入文件中做了如下更改:
#p freq charge oniom(b3lyp/6-31g(d):uff=UnCharged)=embedcharge geom=connectivity
坐标部分是用setcharge小程序拟合的RESP电荷 (, 下载次数 Times of downloads: 10)
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运行的时候出现了如下报错:
No microiterations with Cartesian or Z-matrix opts.
查了一下报错,有的说是高斯的bug.