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标题: NBO能分析与发射谱相关的表面电子能量变化吗? [打印本页]

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lao7    时间: 2015-8-5 19:01
标题: NBO能分析与发射谱相关的表面电子能量变化吗?
本帖最后由 lao7 于 2015-8-5 19:02 编辑

想用multiwfn分析荧光生色团结合离子前后表面电子能量变化,不知道NBO功能是否可行?另外,是分析激发态时的电子NBO,还是发射态时的NBO呢?如果分析激发态NBO,理论上能够产生强荧光时(或者荧光波长红移/蓝移时),NBO分析的表面电子会有什么特点?谢谢各位。


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sobereva    时间: 2015-8-5 22:54
NBO和这没什么关系。
我不清楚你说的表面电子能量是指什么
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lao7    时间: 2015-8-6 10:37
sobereva 发表于 2015-8-5 22:54
NBO和这没什么关系。
我不清楚你说的表面电子能量是指什么

谢谢回复!因为没有使用过这些功能,所以描述不清楚。我把想法描述一下吧!
    最初想用TD预测溶剂下分子的荧光发射。发觉太慢了,而且真正计算出来可能和实验值存在差距。所以想用NBO分析的方法,分析离子与荧光生色团配位后,配位体表面电子的变化情况,以定性解释实验中存在的荧光增强现象(能量转移引起的荧光增强),和荧光红移现象(可能内滤效应)。不知道如何下手。已经看过你的一篇NBO的帖子,但学会操作过程,不知道如何解释我所遇到的现象。
作者
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sobereva    时间: 2015-8-6 19:35
可以考察表面的静电势、平均局部离子化能等指标。
NBO和这个问题我不清楚你打算怎么联系起来
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lao7    时间: 2015-8-6 19:55
sobereva 发表于 2015-8-6 19:35
可以考察表面的静电势、平均局部离子化能等指标。
NBO和这个问题我不清楚你打算怎么联系起来

谢谢!理论上,如果生成络合物之后荧光能够增强的话,在激发态情况下,离子应该吸收短波辐射,并把能量传递给生色团(可以苯环结构),如果能用图片的形式描述这种传递的过程就好了。
      这个图片的形式应该是这样的:在激发态优化好的情况下,配位体离子表面的电子能量应该最高(也可能是离子振动),能量跃迁回到基态的过程中,应该把能量通过配位键传递给生色团结构,引起生色团结构电子的跃迁。不知道如何用软件描述。
    好像静电势和平均局部离子化能用来预测反应位点更合适,不知道我的理解有误出错?谢谢!
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sobereva    时间: 2015-8-7 01:24
这个过程还是有一定抽象性,具体从物理量上描述有一定困难。至少NBO我认为讨论不出什么有用的。
能量传递的图形化描述还真少见。
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lao7    时间: 2015-8-7 08:24
嗯,谢谢!我记得激发态计算,有基态优化,和TD激发态计算两步。是否能通过计算产生的两个chk文件,展示后前配位离子区域表面电子,声色团区域表面电子变化呢?理论上,激发态时,配位区域能量升高,这种能量可能是电子跃迁(离子表面电子跃迁可能性较低),更可能是配位离子与激发光谱产生共振而导致能量上升,但如何以图片形式显示配位离子的振动能量呢?




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