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标题: 求助:vasp考虑溶剂化效应 [打印本页]

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不明嚼栗子    时间: 2020-1-2 16:39
标题: 求助:vasp考虑溶剂化效应
各位老师同学,我做水体系下的电催化,位点是碳纳米带的边缘,现在想要考虑溶剂化效应,查文献发现大多是表面催化加水层,不太适合我的情况,那么我该怎么计算溶剂化稳定能呢。是只加几个水分子吗?那么这个个数或者初始摆放的位置有啥讲究吗?还是我想咋摆就咋放?或者说用vaspsol来考虑?如果用vaspsol的话是不是需要在开启LSOL后重新再优化吸附构型啊。先谢谢大家了。
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Marisa    时间: 2020-1-3 09:42
vaspsol不用重新优化,你把手册看一遍就懂怎么算了,里面教程很详细
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不明嚼栗子    时间: 2020-1-3 11:00
Marisa 发表于 2020-1-3 09:42
vaspsol不用重新优化,你把手册看一遍就懂怎么算了,里面教程很详细

好的,感谢前辈
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華華    时间: 2021-2-2 01:37
Marisa 发表于 2020-1-3 09:42
vaspsol不用重新优化,你把手册看一遍就懂怎么算了,里面教程很详细

老师您好,我从手册上看到vasp-sol计算要先计算vacuum,然后设置ISTART=1计算溶剂化的情况,但是我没明白计算溶剂化的时候是只计算单点能呢还是需要结构优化呢? 谢谢!!!!
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Penson    时间: 2021-2-2 11:01
一般是是开了隐式溶剂再算一遍结构优化后的单点就可以。当然如果机时充裕且收敛情况较好可以开着溶剂化做结构优化
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華華    时间: 2021-2-23 11:22
Penson 发表于 2021-2-2 11:01
一般是是开了隐式溶剂再算一遍结构优化后的单点就可以。当然如果机时充裕且收敛情况较好可以开着溶剂化做结 ...

好的,谢谢您!!
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Maxmium    时间: 2021-9-7 16:01
Penson 发表于 2021-2-2 11:01
一般是是开了隐式溶剂再算一遍结构优化后的单点就可以。当然如果机时充裕且收敛情况较好可以开着溶剂化做结 ...

您好,最近正好用隐式溶剂法算吸附能,吸附结构优化以后要对吸附能进行修正计算吉布斯自由能,在这个过程中需要计算频率,那么在校正吸附能时候计算频率需要开隐式溶剂吗?
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Penson    时间: 2021-9-8 21:58
Maxmium 发表于 2021-9-7 16:01
您好,最近正好用隐式溶剂法算吸附能,吸附结构优化以后要对吸附能进行修正计算吉布斯自由能,在这个过程 ...

我认为只要能量会收敛打开也无妨
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Maxmium    时间: 2021-9-27 12:11
Penson 发表于 2021-9-8 21:58
我认为只要能量会收敛打开也无妨

能收敛的,只是不明白打开算频率和不开算,意义上有无不同,谢谢您的解答哈
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Penson    时间: 2021-9-28 01:11
Maxmium 发表于 2021-9-27 12:11
能收敛的,只是不明白打开算频率和不开算,意义上有无不同,谢谢您的解答哈

就是计算的模拟环境有一些区别
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cfl    时间: 2022-8-20 10:10
您好,我最近也在做VASP加隐式溶剂的计算,请问有关溶剂化的参数设置在哪看呢?





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