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标题: 关于Singlet Fission中利用高斯计算T1的问题 [打印本页]

作者
Author: clayer 时间: 2020-5-29 19:35
标题: 关于Singlet Fission中利用高斯计算T1的问题
Singlet Fission 可以简单理解为：晶体中一个分子处于S1态，与之相邻的另一个分子处于S0态，通过离域或者转移形成两个T1态的过程。
其中涉及到几个重要的激发态（S1, T1, T2）的计算，并且需要满足两个基本条件：E(S1)>=2E(T1) 2E(T1)<=E(T2)。

我之前看到sob老师介绍2种计算T1的方法（GS和TD），当我用这两种方法计算后发现，结果上有较大的差异，
用GS算的不满足上述条件，而用TD算的满足上述条件。

请问哪种方法算的在Single Fission中更加合理一些？

(用到的基组cam-b3lyp/6-311g**)

作者
Author: sobereva 时间: 2020-5-30 07:23
“GS”意义不明。对于优化T1，那叫UKS
优化T1首选UKS，至于要和TDDFT算的单重态激发能作对比，仍需在UKS优化的T1结构下再用TDDFT算一次三重态激发能。

作者
Author: tiandikuoyuan 时间: 2020-5-30 13:25
你计算的是孤立分子吗，你实验测试的是溶液还是固体。结果有差异是什么差异，T2是怎么优化的

作者
Author: clayer 时间: 2020-5-30 17:10
本帖最后由 clayer 于 2020-5-30 10:33 编辑

tiandikuoyuan 发表于 2020-5-30 06:25
你计算的是孤立分子吗，你实验测试的是溶液还是固体。结果有差异是什么差异，T2是怎么优化的

感谢回复，目前只计算固相单分子，因为计算dimer太耗时。我用这两种方法计算的S0到T1的带隙会相差1.0~1.3 eV。T2的优化我用的是TD-DFT，root=2, spin=1。但我小老板要我在T1的几何结构下用TD-DFT，root=1, spin=3，我尝试了，但这种方法下结果是都不收敛。

作者
Author: clayer 时间: 2020-5-30 17:29

sobereva 发表于 2020-5-30 00:23
“GS”意义不明。对于优化T1，那叫UKS
优化T1首选UKS，至于要和TDDFT算的单重态激发能作对比，仍需在UKS优 ...

感谢sob的回复。我也认同需要用TD计算。在Singlet Fission中，S0到T1的激发是自旋允许的，而S0到T1的激发必然会伴随着自旋翻转，用UKS方法计算时好像不涉及自旋问题，不知道我这样理解对不对。

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