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标题: 如何通过对态密度积分求有机导体的电子空穴浓度 [打印本页]

作者
Author: 珊珊来迟 时间: 2020-7-29 09:48
标题: 如何通过对态密度积分求有机导体的电子空穴浓度
如题想求取有机导体的载流子浓度，查到了可以通过对总态密度图积分求得，附上我查到的应用该方法的例子，求取电子浓度时积分区间是从导带底到费米能级： (, 下载次数 Times of downloads: 35)
第一个问题是，上图例子中的公式2，求电子密度的时候是不是应该再乘以一个2？（我的理解是每个电子态可以有两个电子）
我计算的体系为有机导体，dos图如下图所示，请问求载流子浓度时能量积分区间是否与费米能级的位置有关？如下图这种情况求取电子和空穴浓度的时候积分区间分别是什么呀？没有导带底和价带顶了呀？
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另外附上我按照自己理解总结的根据dos图计算电子浓度的方法，不知是否正确，请各位老师前辈批评指正
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作者
Author: 问问问 时间: 2021-10-21 11:25
请问楼主参考的书籍或者文章是哪几篇呢？

作者
Author: heyi87 时间: 2021-10-21 21:26
与Fermi能级非常相关。具体计算过程是先画出DOS图，然后对DOS乘以占费米狄拉克概率，最后对这些DOS进行积分或者求和。得出的是单包的载流子数，然后除以单包的体积，就可以得到载流子浓度

作者
Author: yuyang7834 时间: 2024-9-4 16:39
您好，打扰了，请问问题解决了吗

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