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标题: 磷光发射能计算结果中电子激发信息是否对应T1→S0的发射？ [打印本页]

作者
Author: 李文桃 时间: 2020-8-27 10:45
标题: 磷光发射能计算结果中电子激发信息是否对应T1→S0的发射？
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Excited State 1:    Triplet-A    1.3435 eV  922.82 nm  f=0.0000  <S**2>=2.000
   193 ->196       0.24132
   195 ->196       0.65024

计算得到的excite state 1也是指电子激发的过程？此时的计算的193 → 196,195 →196的跃迁是指将T1优化结构作为基态结构的S0 → T1跃迁吗？还是对应T1 → S0?

2. 如何计算得到T1 → S0的发射跃迁？
[size=14.6667px]例如一下文献中的计算结果通过怎样计算能够得到[size=14.6667px]T1 → [size=14.6667px]S0的发射跃迁[size=14.6667px]？
Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2639–2647

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作者
Author: zhficcas 时间: 2020-8-27 20:27
1. 你现在计算可以说是T1到S0的发射。
2. S0到T1的跃迁，应该是跃迁禁阻的三重态垂直跃迁，对应的是吸附光谱（如果吸附光谱中能分辨出S0到T1的峰形），和T1到S0的意义是不一样的。

作者
Author: sobereva 时间: 2020-8-27 20:53
如果当前结构是优化好的T1结构，这就是指T1结构下S0和T1态之间跃迁的特征，怎么解释取决于你，诸如可以解释为磷光发射能为1.3435 eV

仔细看
Gaussian中用TDDFT计算激发态和吸收、荧光、磷光光谱的方法
http://sobereva.com/314（http://bbs.keinsci.com/thread-2413-1-1.html）

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作者
Author: 李文桃 时间: 2020-8-31 22:51

zhficcas 发表于 2020-8-27 20:27
1. 你现在计算可以说是T1到S0的发射。
2. S0到T1的跃迁，应该是跃迁禁阻的三重态垂直跃迁，对应的是吸附光 ...

老师；
对于你的回答，我是不是可以理解为：现在这个TD计算结果中的193→196,195→196的跃迁我既可以理解为S0→T1(极小点结构)的吸收，也可以理解为T1(极小点结构)→S0的垂直发射？

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