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标题: 用NTO或Elec-Hole来分析S0-T1激发是否有意义 [打印本页]

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Author: clayer 时间: 2020-10-19 16:46
标题: 用NTO或Elec-Hole来分析S0-T1激发是否有意义
本帖最后由 clayer 于 2020-10-19 09:48 编辑

我看到Sob老师有关NTO或Elec-Hole分析电子激发的帖子十分好用，但其中描述的大都是S0-Sn的激发，我在想是否可以用来分析S0-Tn激发。通常单重态基态到三重态激发态跃迁禁阻，所以用NTO来描述这一激发有意义吗？（背景是我想研究取代基的不同位点对T1的影响）

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Author: wzkchem5 时间: 2020-10-19 21:11
理论上完全没有问题，虽然NTO名字里有个transition，但是和具体的跃迁选律没有任何关系，所以即使对于跃迁禁阻的情况，NTO也是有定义且有物理意义的

作者
Author: clayer 时间: 2020-10-19 22:09

wzkchem5 发表于 2020-10-19 14:11
理论上完全没有问题，虽然NTO名字里有个transition，但是和具体的跃迁选律没有任何关系，所以即使对于跃迁 ...

非常感谢，我试了一下，感觉计算结果与我的猜测绝大部分匹配，只不过有一点不太确定，我计算S0-T1垂直激发用的S0的几何坐标结合关键词TD=triplets iop（9/40=4） 0 1，得到的NTO本征值有的为1.035，不知如何解释，而算S0-S1时都能小于1

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Author: sobereva 时间: 2020-10-19 23:41
Multiwfn的NTO和空穴-电子分析都可以完美用于S0-T1激发。

1.035没有关系，当成1就行了。只有对于CIS、TDA才保证<=1.0

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Author: clayer 时间: 2020-10-20 03:17

sobereva 发表于 2020-10-19 16:41
Multiwfn的NTO和空穴-电子分析都可以完美用于S0-T1激发。

1.035没有关系，当成1就行了。只有对于CIS、TD ...

非常感谢Sob老师的解答

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Author: clayer 时间: 2020-10-21 17:31

sobereva 发表于 2020-10-19 16:41
Multiwfn的NTO和空穴-电子分析都可以完美用于S0-T1激发。

1.035没有关系，当成1就行了。只有对于CIS、TD ...

请问Sob老师，在我计算类似于氨基菲这样的化合物的S0-S1激发时，发现NTO组态系数为0.95，也就是说这一NTO可以近乎完美描述电子激发，可是我发现氮原子在激发中的贡献为12%，那可以理解为这一激发由pi-pi*和n-pi*共同组成的吗？

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Author: sobereva 时间: 2020-10-22 05:26

clayer 发表于 2020-10-21 17:31
请问Sob老师，在我计算类似于氨基菲这样的化合物的S0-S1激发时，发现NTO组态系数为0.95，也就是说这一NTO ...

12%的贡献可以忽略掉，就说pi-pi*就行了

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