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标题: castep计算掺杂价态问题 [打印本页]

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kecy    时间: 2020-12-5 22:19
标题: castep计算掺杂价态问题
缺陷一般会形成缺陷能级,从而有可能电离,进一步对体系的电子态,性质产生重要影响。这也是常用的半导体材料Si有p型和n型的起源。然而本论文中,作者并没有考虑掺入杂质的可能电离,也就是缺陷的价态。请教这样的审稿意见是指什么,castep第一性原理计算的时候原子的初始价态不是没有影响吗?

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wzkchem5    时间: 2020-12-5 22:48
我觉得不是让你指定初始价态,而是让你分析最终价态
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卡开发发    时间: 2020-12-5 23:01
应该是审稿人希望你能够考虑体系带电的情况。
作者
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kecy    时间: 2020-12-6 20:14
卡开发发 发表于 2020-12-5 23:01
应该是审稿人希望你能够考虑体系带电的情况。

多谢回复,castep 用pbe方法,考虑带电的情况怎么设置啊。
作者
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kecy    时间: 2020-12-6 21:23
kecy 发表于 2020-12-6 20:14
多谢回复,castep 用pbe方法,考虑带电的情况怎么设置啊。

就是charge设置不为零?
作者
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kecy    时间: 2020-12-6 21:24
卡开发发 发表于 2020-12-5 23:01
应该是审稿人希望你能够考虑体系带电的情况。

就是castep中setup中charge设置不为零?
作者
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kecy    时间: 2020-12-6 21:41
卡开发发 发表于 2020-12-5 23:01
应该是审稿人希望你能够考虑体系带电的情况。

刚查了一下常用的半导体材料Si有p型和n型的起源,应该指的就是对于元素半导体,如硅、锗,通过掺杂五价或三价元素,可使之由本征型成为N型或者P型半导体。但是castep计算是用量子化学理论,对于元素的初始价态应该是没什么影响的吧。
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卡开发发    时间: 2020-12-7 10:15
kecy 发表于 2020-12-6 21:41
刚查了一下常用的半导体材料Si有p型和n型的起源,应该指的就是对于元素半导体,如硅、锗,通过掺杂五价或 ...

有些掺杂可能会带电,一般有些文献会做带电、不带电各自的形成能,这方面确实和价态有关,但价态是多少如何确定这个确实是看分析的。这方面可以找些文献看看。带电确实是按照charge去设置,但牵扯到的注意事项比较多。
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kecy    时间: 2020-12-7 21:30
卡开发发 发表于 2020-12-7 10:15
有些掺杂可能会带电,一般有些文献会做带电、不带电各自的形成能,这方面确实和价态有关,但价态是多少如 ...

多谢回复,有没有带电、不带电各自的形成能计算的文献推荐一下,我好看没怎么看到做这个比较计算的呢?再次感谢。
作者
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卡开发发    时间: 2020-12-7 21:58
kecy 发表于 2020-12-7 21:30
多谢回复,有没有带电、不带电各自的形成能计算的文献推荐一下,我好看没怎么看到做这个比较计算的呢?再 ...

站内可寻http://bbs.keinsci.com/thread-658-1-1.html
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kecy    时间: 2020-12-9 09:44
卡开发发 发表于 2020-12-7 21:58
站内可寻http://bbs.keinsci.com/thread-658-1-1.html

多谢,




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