计算化学公社

标题: 求助如何通过ｖａｓｐ计算带电缺陷的缺陷形成能 [打印本页]

作者
Author: 999938825 时间: 2020-12-10 21:27
标题: 求助如何通过ｖａｓｐ计算带电缺陷的缺陷形成能
关于带电缺陷的缺陷形成能，我查了蛮多文献依然很难完全理解计算过程，主要问题出在ｑ（ＥＶＢＭ＋ＥＦ）这一项中
问题一是带电量ｑ是如何取值？　例如我计算ＣａＣＯ３中一个二价钙离子缺陷，是否计算缺陷的时候设置ＮＥＬＥＣＴ＝ＮＥＬＥＣＴ＋２然后计算时设ｑ＝２？因为体系多了两个电子？
问题二是公式中的ＥＶＢＭ具体如何得到？　是否需要计算功函数，然后参考真空能级计算？，或者计算ｄｏｓ用ｐｙｍａｔｇｅｎ读取这个ｖｂｍ？
问题三是公式中的Ｅｆ到底怎么算呢？文献中说EFis the Fermi level, referenced to the valence-band　maximum in the bulk，费米能级是参考价带的？ｖａｓｐ中使用的ｇｒｅｐ　＂Ｅ－ｆｅｒｍｉ＂　ＯＵＴＣＡＲ　是参考价带的能量吗？因为我用ｐｙｍａｔｇｅｎ得到的ｖｂｍ和Ｅｆｅｒｍｉ相差无几，所以感觉不太对，想知道ＯＵＴＣＡＲ里面的ｆｅｒｍｉ能级是相对于谁的？如果不对应该怎样确定这个Ｅｆｅｒｍｉ呢？
最后一个问题是化学势如何确定，我知道化学势是不同条件下不同的，算缺陷形成能时怎么确定呢？如计算碳酸钙钙缺陷时可以使用Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｐｒｏｊｅｃｔ找到Ｃａ的最稳定单胞的每原子能量作为化学势吗？（根据我查找的结果是－２ｅＶ）？

作者
Author: 999938825 时间: 2020-12-11 10:07
关键一点在于怎么理解Ef是一个自由参数啊，文献中说可以做出缺陷形成能和费米能级的图，但是我只想算一个缺陷形成能而已，这种情况费米能级到底取哪个呢，多谢各位大佬了

作者
Author: Bell 时间: 2022-3-24 09:10
楼主解决了嘛？

作者
Author: sigma-jlu 时间: 2023-11-2 14:48
ＥＶＢＭ：energy of valence band maximum.

作者
Author: 丨小桉柠 时间: 2024-3-3 00:00
楼主解决了吗

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