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标题: 关于B掺杂的Si/SiO2界面体系中含B局域结构稳定性评价问题 [打印本页]

作者
Author: nusiew 时间: 2021-1-7 22:25
标题: 关于B掺杂的Si/SiO2界面体系中含B局域结构稳定性评价问题
本帖最后由 nusiew 于 2021-1-7 22:25 编辑

如图所示是B掺杂的Si/SiO2界面体系，整个体系是网络体结构，B从Si中向SiO2中迁移，现在主要想研究B在这个体系中各个稳定和亚稳结构的稳定性。我想要请教的问题是：对于这种网络体结构，原子之间都是通过共价键形成了一个特别大的体系，而不是单个的小分子或者团簇，B相关局域结构的稳定性该如何来计算呢？最近在学习Gaussian,但是不知道能不能从上述网络体中抽出含B的局域结构来计算？恳请大家给予建议，非常感谢！

作者
Author: sobereva 时间: 2021-1-8 00:24
还是用一般的讨论方式，考察B在各个位置的自由能高低判断热力学稳定性，通过迁移势垒判断动力学稳定性。

只要你已经有了合适的初始结构，用Gaussian作为簇模型或者用ONIOM是可以算的，算的时候把边界冻住。没有初始结构的话，可以考虑用CP2K之类的程序优化一个

作者
Author: nusiew 时间: 2021-1-8 14:41
非常感谢老师的指导！

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