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标题: 请教高温下小分子在晶体表面的反应过程的AIMD计算 [打印本页]

作者
Author: reedfy 时间: 2021-1-8 17:53
标题: 请教高温下小分子在晶体表面的反应过程的AIMD计算
各位大佬好，刚接触分子动力学，想用cp2k跑AIMD，模拟高温下（1000K以上）小分子在晶体表面的反应过程。请教以下几个问题：
1）已经找到分子吸附的最稳定构型，是先跑一个从0K升温到1000K的MD，还是可以直接设置温度为1000K呢？
2）因为分子的吸附能较小（0.75ev左右），之前尝试跑AIMD的过程中，小分子有时会离开当前吸附位点，离开表面，然后在吸附到另一吸附位点。可否限制小分子的z坐标，将其限制在晶体表面附近，增加采样几率？
先谢谢各位了！

作者
Author: sobereva 时间: 2021-1-9 04:55
如果是指以1000K来产生随机初速度，那很危险。为了保证动力学稳定性，从低温缓慢升温比较稳妥

作者
Author: reedfy 时间: 2021-1-9 10:08

sobereva 发表于 2021-1-9 04:55
如果是指以1000K来产生随机初速度，那很危险。为了保证动力学稳定性，从低温缓慢升温比较稳妥

好的，谢谢sob老师

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