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标题: 求助：vasp计算离子吸附模型应该考虑哪些参数 [打印本页]

作者
Author: hansong 时间: 2021-3-1 13:39
标题: 求助：vasp计算离子吸附模型应该考虑哪些参数
网上和vasp官网的教程大多都是分子在材料表面的吸附，然而带电离子在材料表面的吸附的计算应该怎么做呢？例如计算氢氧根OH-吸附到材料表面的吸附能，vasp的参数该如何设置。之前有看到说设置NELECT参数，但是也有说这个参数可能不准确。因为NELECT是整个体系背景下加入或减少电荷却不能局域在某个原子上面。请问有了解这块的老师吗，谢谢大家。

作者
Author: 欧拉角 时间: 2021-3-1 18:22
如果您用了VASPsol可以用FERMI_SHIFT的方法进行校正，具体使用方法您可以参考https://github.com/henniggroup/VASPsol/blob/master/docs/USAGE.md，但需要注意的是这种方法需要上下表面对称才行。另一种方法是这样，带电荷的表面能量会随着真空层L倒数发生变化，然后可以通过线性外推的方法来得到L->∞的情况，但这种方法不算方便也不好做离子坐标优化。

作者
Author: hansong 时间: 2021-3-3 14:43

欧拉角发表于 2021-3-1 18:22
如果您用了VASPsol可以用FERMI_SHIFT的方法进行校正，具体使用方法您可以参考https://github.com/henniggro ...

谢谢，我的模型上下表面不对称。是否只能按第二种方法来处理呢？

作者
Author: 欧拉角 时间: 2021-3-3 16:04

hansong 发表于 2021-3-3 14:43
谢谢，我的模型上下表面不对称。是否只能按第二种方法来处理呢？

不对称的情况第一种方法应该也就没办法用了哦。

作者
Author: 呀浮 时间: 2022-4-10 17:15

欧拉角发表于 2021-3-1 18:22
如果您用了VASPsol可以用FERMI_SHIFT的方法进行校正，具体使用方法您可以参考https://github.com/henniggro ...

您好，打扰一下，我想请教一下，那如果想算气相中的一个离子和表面作用，也可以用vaspsol处理吗，溶剂化效应好像是用在固液表面

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Author: zyhxka 时间: 2025-4-27 10:34
您好，我也有这样的困惑，想要计算离子吸附在半导体表面上，请问您解决这个问题了吗？想向您请教一下，谢谢~

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