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标题: 请教：铜负载石墨烯表面吸附模型的偶极矩矫正问题 [打印本页]

作者
Author: rabbitkiller 时间: 2021-3-9 15:04
标题: 请教：铜负载石墨烯表面吸附模型的偶极矩矫正问题
请教各位老师，我想在QE中模拟铜负载石墨烯吸附分子的模型。
模型构成：Cu（111）面（3层或4层铜原子，真空层15埃）+石墨烯（1层）+1个分子

我已经测试了k点，ecutwfc, ecutrho；对bulk铜做过vc-relax得到了稳定的结构，并且切出了111面。接下来遇到的问题是在哪一步做偶极矩矫正？

我的想法是首先对Cu（111）面做relax（固定底层，放开上两层）得到表面态，然后把石墨烯放上去再relax。上述步骤完成后做偶极矫正。最后把吸附分子放上去，带着偶极矫正的那些参数做relax。
不知道我的想法是不是合理？

请大家不吝赐教。

作者
Author: 卡开发发 时间: 2021-3-9 16:17
本帖最后由卡开发发于 2021-3-9 16:19 编辑

你是要计算分子在Cu负载石墨烯上的吸附？石墨烯那一步计算能量原则上也要偶极修正。你可以在开偶极修正之前先relax到收敛，然后开着偶极修正继续算，因为通常情况下开了偶极修正SCF会较难收敛。

作者
Author: 落微 时间: 2021-3-9 21:58
请问有图吗？

作者
Author: rabbitkiller 时间: 2021-3-11 19:54

卡开发发发表于 2021-3-9 16:17
你是要计算分子在Cu负载石墨烯上的吸附？石墨烯那一步计算能量原则上也要偶极修正。你可以在开偶极修正之前 ...

谢谢老师！

作者
Author: mxh 时间: 2021-12-15 15:10
请问，在QE中如何开偶极修正，能看一下您的参数设置吗

作者
Author: 卡开发发 时间: 2021-12-15 16:09

mxh 发表于 2021-12-15 15:10
请问，在QE中如何开偶极修正，能看一下您的参数设置吗

参考一下dipfield呢？
但是其实可以使用assume_isolated来对Poisson方程的边界做处理。

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