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标题: 求助：CP2K中 CeO2 基组的选择和DFT+U的输入文件的书写 [打印本页]

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Author: 风飞 时间: 2021-5-18 16:22
标题: 求助：CP2K中 CeO2 基组的选择和DFT+U的输入文件的书写
本帖最后由风飞于 2021-5-18 17:33 编辑

老师，您好，

ZrO2（111）-toluen的体系中，想对Zr加U，在使用Multiwfn建立输入文件后总是提示如下错误：,输入文件如下，请问该怎样修改合适呢？

此外，对于CeO2(111)-的体系，关于Ce定义，我在文献中看到的是DZVP-MOLOPT-GTH，结果计算时，发现没有定义，
于是我开data/下面的BASIS_MOLOPT_LnPP1中找到了Ce的定义DZV-MOLOPT-GTH，如图所示，可以输入DZV-MOLOPT-GTH时，结果对O又没有定义，
请问对于这种情况，如果对O和Ce分别定义,该怎样处理呢？是否有对应的例子
此外，请问是否有推荐的能包含两者的呢？我想试着换其他其基组，但是又不知道是否合适？

我只是想做个单点得到波函数，然后进行IGMH分析，是否一定要用DFT+U呢？

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作者
Author: waitingseven 时间: 2021-5-18 16:28
这个是不是因为用k点采样的原因，加U只能用gamma点

作者
Author: 卡开发发 时间: 2021-5-18 17:53
DFT+U的问题看上去PLUS_U_METHOD是&DFT而不是&QS的参数。

作者
Author: 啦啦黑还黑 时间: 2021-5-18 17:55
PLUS_U_METHOD是在DFT section里的，你这个inp文件有问题，建议用我课上给发的Au/TiO2那个模板就行了。

&FORCE_EVAL
  METHOD Quickstep
  &DFT
BASIS_SET_FILE_NAME ${DATAPATH}/BASIS_MOLOPT
# POTENTIAL_FILE_NAME ./rr_pot
POTENTIAL_FILE_NAME ${DATAPATH}/GTH_POTENTIALS
WFN_RESTART_FILE_NAME ./cp2k-RESTART.wfn
PLUS_U_METHOD MULLIKEN
#  CHARGE +2
UKS  T
&MGRID
   CUTOFF 350
&END MGRID
...

作者
Author: sobereva 时间: 2021-5-18 18:20
用混合基组就完了。本来对不同元素就可以设不同的基组和赝势

作者
Author: 风飞 时间: 2021-5-18 19:50
本帖最后由风飞于 2021-5-18 20:54 编辑

谢谢各位老师的指点，DFT+U的问题解决了，那请问怎样写这个混合基组呢？尝试了很多次，都失败了

作者
Author: 风飞 时间: 2021-5-18 19:55

sobereva 发表于 2021-5-18 18:20
用混合基组就完了。本来对不同元素就可以设不同的基组和赝势

老师，使用Multiwfn创建cp2K文件设置DFT+U计算时，是有问题的，正如“啦啦黑还黑”，文件中指出的，需要将QS中的PLUS_U_METHOD MULLIKEN移动到DFT下才可以

作者
Author: 风飞 时间: 2021-5-18 20:33
此外，关于Ce的赝势的选择，在data文件下的BASIS_MOLOPT_UCL文件中找到了多种Ce的定义，对于DZVP类型的有两种，分别是：Ce DZVP-MOLOPT-SR-GTH DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q12 Ce DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q30
请问这两种怎么选呢？文献中也是说了：Ce DZVP-MOLOPT-SR-GTH
其定义分别如下
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作者
Author: sobereva 时间: 2021-5-19 02:50

风飞发表于 2021-5-18 19:50
谢谢各位老师的指点，DFT+U的问题解决了，那请问怎样写这个混合基组呢？尝试了很多次，都失败了

自己修改输入文件在&KIND指定啊

作者
Author: sobereva 时间: 2021-5-19 02:59

风飞发表于 2021-5-18 19:55
老师，使用Multiwfn创建cp2K文件设置DFT+U计算时，是有问题的，正如“啦啦黑还黑”，文件中指出的，需要 ...

2021-May-19版没这个问题

作者
Author: 风飞 时间: 2021-5-19 08:09

sobereva 发表于 2021-5-19 02:50
自己修改输入文件在&KIND指定啊

老师，你好，我的指定如下，仍然有问题，提示错误如下，那是不是还得指定GPW，GPAW_XC, OFGPW这些参数，

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作者
Author: 卡开发发 时间: 2021-5-19 08:21

风飞发表于 2021-5-19 08:09
老师，你好，我的指定如下，仍然有问题，提示错误如下，那是不是还得指定GPW，GPAW_XC, OFGPW这些参数 ...

POTENTIAL要么全都用ALL的，用GAPW模式做；要么就全都采用赝势，用GPW做。

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Author: 风飞 时间: 2021-5-19 08:48

卡开发发发表于 2021-5-19 08:21
POTENTIAL要么全都用ALL的，用GAPW模式做；要么就全都采用赝势，用GPW做。

嗯，好的，谢谢老师，我修改成这样就可以运行了，
此外，请问这样的基组设置,得到波函数，用于IGMH分析或者计算电荷，合适吗？

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Author: 卡开发发 时间: 2021-5-19 09:48

风飞发表于 2021-5-19 08:48
嗯，好的，谢谢老师，我修改成这样就可以运行了，
此外，请问这样的基组设置,得到波函数，用于IGMH分 ...

计算电荷应该可以，但具体得看何种原子电荷。IGMH我不确定使用赝密度和全电子密度会有多大差异。

作者
Author: 风飞 时间: 2021-5-19 16:05

卡开发发发表于 2021-5-19 09:48
计算电荷应该可以，但具体得看何种原子电荷。IGMH我不确定使用赝密度和全电子密度会有多大差异。

我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移，看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT，结合Multiwfn 可以算CM5电荷。

结合sob老师关于原子电荷对比的文章，对于我这样的体系，拟采用Hirshfled-I 电荷，您看是否合适？

作者
Author: 卡开发发 时间: 2021-5-19 16:20

风飞发表于 2021-5-19 16:05
我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移，看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT，结合Mul ...

Hirshfeld-I的话芯密度是有影响的。

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Author: 风飞 时间: 2021-5-19 16:31

卡开发发发表于 2021-5-19 16:20
Hirshfeld-I的话芯密度是有影响的。

对哈，他是基于电子密度划分的，

那用拟合静电势的：REPEAT?

作者
Author: 卡开发发 时间: 2021-5-19 17:16

风飞发表于 2021-5-19 16:31
对哈，他是基于电子密度划分的，

那用拟合静电势的：REPEAT?

我觉得REPEAT应该可以使用。主要还是得看程序怎么处理，有些程序在处理特定电荷的情况下会考虑将芯密度补上再进行处理，这点不好一概而论。

作者
Author: sobereva 时间: 2021-5-20 17:33

风飞发表于 2021-5-19 16:05
我是想计算吸附分析和载体表面之间的电荷电荷转移，看到说CP2K可以直接算 Hirshfled-I、REPEAT，结合Mul ...

Hirshfeld-I或CM5合适REPEAT对于这种目的我不建议。REPEAT主要适合用于计算基于力场模拟时的原子电荷目的。

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Author: 风飞 时间: 2021-5-20 17:35

sobereva 发表于 2021-5-20 17:33
Hirshfeld-I或CM5合适REPEAT对于这种目的我不建议。REPEAT主要适合用于计算基于力场模拟时的原子电荷目的 ...

嗯，好的谢谢老师

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Author: 灼眼的NaOH 时间: 2024-3-5 15:08

风飞发表于 2021-5-19 08:09
老师，你好，我的指定如下，仍然有问题，提示错误如下，那是不是还得指定GPW，GPAW_XC, OFGPW这些参数 ...

您好，我想请教一下，Ce plus U 7.0 eV的参考文献可以分享一下吗，如果还记得的话

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