计算化学公社

标题: 关于计算较大分子在电场下的构型变化问题 [打印本页]

作者
Author: 小蜗 时间: 2021-6-28 17:54
标题: 关于计算较大分子在电场下的构型变化问题
大家好，想问一下如果计算比较大的分子在电场下的构型变换，用什么计算软件比较好，图是我准备计算的分子，虽然是polymer，但是我只想计算这个单体在电场下的变化情况，以及HOMO LUMO之类的变化，gaussian好像对大分子的计算比较吃力，想问问大家有什么软件

作者
Author: wzkchem5 时间: 2021-6-28 18:09
这个聚合物的击穿场强有多大？导致构象变化需要非常强的电场，很多有机分子在发生明显的构象变化之前就被击穿了

作者
Author: niobium 时间: 2021-6-28 19:15
单体的话高斯完全能搞定

作者
Author: 小蜗 时间: 2021-6-29 09:37

wzkchem5 发表于 2021-6-28 18:09
这个聚合物的击穿场强有多大？导致构象变化需要非常强的电场，很多有机分子在发生明显的构象变化之前就被击 ...

您好，击穿场强现在不知道呢，那模拟中的击穿是什么现象呢？我以前做过一个比较简单的二聚体，大概0.004au是可以发生构型变化的。

作者
Author: 小蜗 时间: 2021-6-29 09:37

niobium 发表于 2021-6-28 19:15
单体的话高斯完全能搞定

我以为高斯只能算300左右原子数，这个远超300了，高斯也能跑的起来吗？

作者
Author: niobium 时间: 2021-6-29 14:42

小蜗发表于 2021-6-29 09:37
我以为高斯只能算300左右原子数，这个远超300了，高斯也能跑的起来吗？

哦，那可能够呛。烷基链应该可以简化

作者
Author: wzkchem5 时间: 2021-6-29 15:01

小蜗发表于 2021-6-29 02:37
您好，击穿场强现在不知道呢，那模拟中的击穿是什么现象呢？我以前做过一个比较简单的二聚体，大概0.004a ...

你把这个场强换算成V/m，然后对比类似的聚合物的击穿场强。我隐约记得有一个结论是，一般足以导致构型变化的场强，都会明显超过击穿场强，因此没有实际意义

作者
Author: 小蜗 时间: 2021-6-30 18:31

niobium 发表于 2021-6-29 14:42
哦，那可能够呛。烷基链应该可以简化

好的好的，非常感谢~

作者
Author: 小蜗 时间: 2021-6-30 18:32

wzkchem5 发表于 2021-6-29 15:01
你把这个场强换算成V/m，然后对比类似的聚合物的击穿场强。我隐约记得有一个结论是，一般足以导致构型变 ...

嗯嗯，确实，导致构型变化的场强远大于击穿场强，那我再想一想吧~非常感谢

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