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标题: 关于cp2k中deposit体系的计算设置问题 [打印本页]

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Author: jackxws 时间: 2021-8-7 16:35
标题: 关于cp2k中deposit体系的计算设置问题
想利用cp2k中xtb方法的高效率和比力场高得多的精度计算弱相互作用中等体系的半经验md。体系是substrate-deposit体系，在lammps中有deposit命令可以方便的实现在固定位置以固定速率添加分子或原子

1、想问一下cp2k中是否有类似这样的命令

2、如没有这样的命令，应该以何种方式或流程结合cp2k已有的命令来添加deposit分子更为规范（在lammps力场模拟中只需要dep分子距离sub足够远，在固定区域添加有初速度的分子即可，不知道在cp2k的md中是否可以直接这样添加）

3、在前述问题的基础上每一次添加新的分子都需要重新平衡，是否有办法利用控制命令或restart文件减少体系平衡时间

4、此类体系中不同的热浴（如CSVR和NOSE-HOOVER）会否影响deposit后最终的结构与热力学性质

不好意思一下提了这么多问题，老师们时间宝贵，不必一一回答，如可以告知问题相关的书籍、文献、网页链接等也是极好的。

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