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标题: 关于发射过程的讨论----轨道 and 电荷密度差 [打印本页]

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brothers    时间: 2016-1-20 15:16
标题: 关于发射过程的讨论----轨道 and 电荷密度差
本帖最后由 brothers 于 2016-1-20 16:16 编辑

想请教两个小问题,谢谢各位老师~~近来在望尘莫及的杂志上看到一篇文献,作者设计了对称性很好的D-A-D分子(近似线性,D-A间有一定夹角),计算了基态和激发态构型的HOMO和LUMO轨道分布。
基态结构下轨道是高度对称分布的,HOMO在两侧的Donors上,LUMO在Acceptor上。我作了一下S0-->S1跃迁前后的电荷密度差图,结果也是对称的,跟基态轨道结构相符。这部分容易理解。

作者给出的激发态S1构型对称性降低,HOMO轨道布居在一个Donor上,而LUMO则布居在Acceptor上。随后根据这个轨道分布讲HOMO和LUMO间的跃迁会咋咋咋。
对此有个小疑问:
作者给出的S1轨道分布实际上是该结构下垂直发射后的基态轨道分布(闭壳层,电子全部配对),虽然想表达的意思能够让人理解,但是总感觉跟实际过程是相反的。所以想请问,像作者这样采用基态的轨道分布(S1结构)讨论发射过程,是不是一个常用的、合理的研究手段?


另外一个疑惑是关于绘制发射前后的电荷密度差,请问是否可以按照如下流程:
(1)td opt scrf density=current out=wfn,得到S1的结构和真实S1的density;
(2)拿S1结构做单点计算(加溶剂),得到该结构基态下的density;
(3)作差,(2)-(1)就是发射过程的电子密度变化。
对此实际上有三个疑问:
第一步中是否需要density=current关键词?TD opt是否跟直接TD一样不加density的话产生的仍然是基态的密度?
第二步,直接单点计算会不会因非平衡溶剂效应带来误差?因为TD opt过程对基态是非平衡溶剂。
用td opt scrf out=wfn 和 td opt scrf density=current out=wfn 的结果作差,是不是更为准确?

有点长,谢谢老师~


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sobereva    时间: 2016-1-21 05:50
问题1:那种描述方式没问题,合理

问题2:density关键词(等价于density=current)是必要的,不加得到的就是此结构下基态DFT密度,这对于是否opt都一样。但对于G09 D.01,out=wfn时默认就用了density关键词,故此例可以不写。
不用管非平衡溶剂效应,计算麻烦耗时,对讨论当前问题也不会有什么明显影响。
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小范范1989    时间: 2016-1-21 08:15
敢问楼主是做OLED?TADF?
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brothers    时间: 2016-1-21 09:40
sobereva 发表于 2016-1-21 05:50
问题1:那种描述方式没问题,合理

问题2:density关键词(等价于density=current)是必要的,不加得到的 ...

谢谢sob老师指点~原来D01 out=wfn默认就使用density=current啊,我一直不知道。
非常感谢~~
作者
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brothers    时间: 2016-1-21 09:52
小范范1989 发表于 2016-1-21 08:15
敢问楼主是做OLED?TADF?

TADF,但是接触不久,具体做什么内容还没定好
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小范范1989    时间: 2016-1-21 10:26
brothers 发表于 2016-1-21 09:52
TADF,但是接触不久,具体做什么内容还没定好

偶,哈哈哈,我也是TADF。我看你的问题一猜就差不多类型,哈哈哈
你的文献我也能猜出来,是不是张其胜老师的jacs文献?哈哈哈




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