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标题: 求助：上下两层材料用不同的scf收敛方法几何优化晶胞，界面模型使用OT算法的合... [打印本页]

作者
Author: XWH 时间: 2021-10-31 17:09
标题: 求助：上下两层材料用不同的scf收敛方法几何优化晶胞，界面模型使用OT算法的合...
本帖最后由 XWH 于 2021-10-31 17:25 编辑

请问一下，用CP2K搭建界面模型，为控制模型的原子数量，如果下层材料晶胞优化和表面原子层数测试时采用k点+scf收敛算法是对角化算法，上层材料（涉及DFT+U），晶胞优化和表面原子层数测试时使用scf收敛算法是OT算法。这种不同材料晶胞优化和表面原子层数用不同收敛算法，那么搭建好的界面模型在后续模拟中使用同一种收敛算法（如OT算法）合理吗？

作者
Author: sobereva 时间: 2021-10-31 21:41
没明显问题

作者
Author: XWH 时间: 2021-10-31 22:00

sobereva 发表于 2021-10-31 21:41
没明显问题

再请问一下，就上面这种界面模型，如果不使用k点，但为了控制原子数量，CP2K中几何优化好的超晶胞模型（如7*7*7扩胞）能用Materials studio中find symmetry找出小晶胞（原来的1*1*1）再去切面匹配其他材料表面吗？上下层通过以上方法再去切面匹配中间层，这种做法可取吗？感谢！

作者
Author: XWH 时间: 2021-11-2 13:33

sobereva 发表于 2021-10-31 21:41
没明显问题

您好，我回去之后又看了看，这种界面模型（三层），其中一层有四点几明显带隙，另外两层只有零点几带隙或者没带隙，WC/过渡金属氧化物/C，为控制原子数量，这种模型在未搭建界面前，部分层晶胞几何优化使用k点+对角化，剩余层晶胞几何优化用OT算法，搭建界面后只用OT算法也是合理的吗？我看网上说小带隙或金属体系用对角化+smear，有大带隙的用OT算法。可以再指导下吗？

作者
Author: sobereva 时间: 2021-11-2 14:37

XWH 发表于 2021-11-2 13:33
您好，我回去之后又看了看，这种界面模型（三层），其中一层有四点几明显带隙，另外两层只有零点几带隙或 ...

之前你没提供这些关键信息
既然如此你就用对角化

作者
Author: XWH 时间: 2021-11-2 15:09

sobereva 发表于 2021-11-2 14:37
之前你没提供这些关键信息
既然如此你就用对角化

对于C层，我在测试时用对角化+k点优化+不加smear时可以优化成功，后期进行表面原子层数收敛测试（计算单点能）时，原子层数大于等于10时，scf总是不收敛，这种情况下，改了max-scf，alpha，bate等都未收敛，这种情况下，我可以在不收敛的层数那块添加smear吗？这个smear添加会对C层的结构和单点能量造成什么影响吗？

作者
Author: XWH 时间: 2021-11-2 18:00

sobereva 发表于 2021-11-2 14:37
之前你没提供这些关键信息
既然如此你就用对角化

是建议从测试到模拟结束从一而终都用对角化，还是几何优化不同材料可选不用的优化方式，然后到界面搭建好后用对角化？

作者
Author: sobereva 时间: 2021-11-3 00:45

XWH 发表于 2021-11-2 15:09
对于C层，我在测试时用对角化+k点优化+不加smear时可以优化成功，后期进行表面原子层数收敛测试（计算单 ...

要加就都加

作者
Author: sobereva 时间: 2021-11-3 00:45

XWH 发表于 2021-11-2 18:00
是建议从测试到模拟结束从一而终都用对角化，还是几何优化不同材料可选不用的优化方式，然后到界面搭建好 ...

如果没有什么特别原因非要用OT，就始终都用对角化就完了。复合的界面用对角化能跑得动，也不可能单一材料用对角化就算不动。

作者
Author: XWH 时间: 2021-11-3 08:30

sobereva 发表于 2021-11-3 00:45
如果没有什么特别原因非要用OT，就始终都用对角化就完了。复合的界面用对角化能跑得动，也不可能单一材料 ...

十分感谢！

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