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标题: 关于vasp和castep的区别 [打印本页]

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lawsai47    时间: 2021-11-15 14:17
标题: 关于vasp和castep的区别
在计算功函数时,我发现castep官网建议真空层选取不小于30埃米,而且自己的测试结果也显示在20埃米以下,功函数变化很大。但vasp教学里面则不需要太大的真空层,这是为什么呢?
https://www.tcm.phy.cam.ac.uk/ca ... lculations%7C_____9
https://www.bigbrosci.com/2018/09/06/ex52/

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lawsai47    时间: 2021-11-15 14:19
还有,为什么随着真空层的增加,表面模型的费米能级和真空能级都变小了呢?而且费米能级还从正数变成了负数
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lawsai47    时间: 2021-11-15 15:43
lawsai47 发表于 2021-11-15 14:19
还有,为什么随着真空层的增加,表面模型的费米能级和真空能级都变小了呢?而且费米能级还从正数变成了负数

懂了,功函数和表面电势有关,虽然电子只有几个埃的影响范围,但电势能能影响几十个埃。所以当选择小的真空层时,真空层中间的势能还蛮高,随着真空层的增加,模型离表面最远点的电势才略微减小,如果真空层无限大的话,真空能级就能达到零
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卡开发发    时间: 2021-11-16 00:56
lawsai47 发表于 2021-11-15 15:43
懂了,功函数和表面电势有关,虽然电子只有几个埃的影响范围,但电势能能影响几十个埃。所以当选择小的真 ...

1、不要去管能级的绝对位置,在计算自洽场的时候平面波扔掉了G=0的项导致体系的能级全都被平移一个常数,G=0又刚好就是对应着体系平均电子密度的贡献,所以根本就没办法比较程序直接给出的Ef的绝对位置。如果我们假定距离表面足够远的距离设定为电子真空静止能级,那么你的能级扣除体系的真空静止能级(也就是相当于将真空能级对齐到0)得到的能级才是有意义的。

2、真空能级足够大的情况,G=0项的贡献是会慢慢衰减到0(你可以理解为平均密度其实也趋于0),但是这个过程随着层高收敛可能很慢,而平面波计算量和真空层高度恰恰有关,所以真空层可能大到一定程度你也就算不动了。

3、足够的真空层确实是有必要的,尤其是研究表面的静电势(以及功函数),吸附问题等,在计算量允许的条件下设置充分当然是更合理的。再如,特定的一些Poisson方程求解边界修正也能加速这个过程的收敛,例如qe中的enviroment插件引入的PCC修正等。

4、网上有些例子可能是为了更好说明参数选用的合理性,有些则是为了展示操作却因计算量因素适当放宽了参数的标准。这里面如何取舍可能需要自行判断,当然也是需要逐步积累一些基础理论知识,这方面没啥捷径。






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