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标题: 求助:cp2k计算MgH2生成焓与vasp差异巨大 [打印本页]

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58153365    时间: 2021-11-18 10:37
标题: 求助:cp2k计算MgH2生成焓与vasp差异巨大
本人是cp2k新手,最近用CP2K算了MgH2的生成焓,BASIS_SET用DZVP-MOLOPT-SR-GTH,POTENTIAL用GTH-PBE,采用卢老师的Multiwfn生成.inp文件
具体结果如下
Mg        -63.28281515        (ha)
H2        -1.161912207        (ha)
MgH2        -64.44031886        (ha)
Formation energy=MgH2-Mg-H2=0.004408502(ha)=0.119955352        (eV)


而vasp的计算结果如下
Mg        -1.50E+00 eV
H2        -6.7585895 eV
MgH2        -8.820554 eV
Formation energy=MgH2-Mg-H2=-0.55976925  eV


二者差异非常大,cp2k算出来是吸热,vasp算出来则是放热反应。
之前文献报道的MgH2的生成焓与本文中vasp的计算结果相符,实验测出的结果大概是-0.65eV左右。cp2k的计算结果与vasp和实验结果均匀较大差异。
一直找不出导致上述差异的原因,是否我的.inp文件中用哪些设置没弄好?还是势函数或者基组选得不合理?(.inp文件已贴在附件中)
请各位大侠多多指教,非常感谢




作者
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zbh    时间: 2021-12-10 15:24
我在分别用vasp和cp2k计算吸附能的时候遇到了类似的问题……
作者
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卡开发发    时间: 2021-12-14 10:01
1、先确定在相减过程当中计量数是否正确,因为你表格的数据我不确定做了什么样的处理。
2、我不确定更大的基组给出的结果怎样,比如DZVP-MOLOPT-SR-GTH在特定体系有很大的BSSE或者对应的赝势在你的体系表现不好。
3、DMol3随手测试了一下,算出来在-0.59eV左右(按照一个MgH2的计量来算的),看上去vasp的结果应该是没问题的。




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