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标题: 求助：缺陷形成能图怎么分析？ [打印本页]

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Author: gch123 时间: 2021-12-10 14:06
标题: 求助：缺陷形成能图怎么分析？
各位老师好，请问一下对于电荷缺陷图应该怎么分析呢？1）图中的横坐标表示费米能级的变化，但图中的灰色线也表示费米能级，这是为什么呢？

2）形成能随费米能级变化，那应该怎么确定体系中最容易形成的缺陷类型呢？
3）一般在分析半导体时会引入电荷缺陷，那么对于宽带隙(>6 eV)的体系是否会生成本征电荷缺陷呢？
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作者
Author: jiangning198511 时间: 2021-12-13 08:59
最简单是找到相似文献看看他们是如何分析的

作者
Author: Bell 时间: 2022-3-24 09:08
我也很头痛这个问题，，能讨论讨论嘛？

作者
Author: zhaojingjing 时间: 2024-1-4 16:24
请教下，这个图的分析你可以说说吗

作者
Author: 1138711019 时间: 2024-1-5 09:28
给几篇文献看看呢

作者
Author: qifei123 时间: 2024-1-24 14:03
一般的横坐标的范围是价带到导带的能量差也就是带隙，不同电荷态在图中有不同的斜率，斜率就是q，所有不同斜率直线交叉时，取形成能更低的电荷态。
Reviews of modern physics, 2014, 86(1): 253.这篇文章讲的挺多的。b站上也有几个视频讲缺陷形成能的。

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