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标题: σ-Holes的定量化（转帖） [打印本页]

作者
Author: xzxueren 时间: 2016-2-17 09:15
标题: σ-Holes的定量化（转帖）
Quantifying σ-Holes – G09 and MultiWFN
详见：
http://joaquinbarroso.com/2016/0 ... s-g09-and-multiwfn/

作者
Author: sobereva 时间: 2016-2-17 14:53
这篇博文里有一些不妥的地方，我在博文的评论中进行了说明

作者
Author: chenxin199261 时间: 2016-2-18 12:21
就是把表面静电势值标记在σ-Hole上？
Multiwfn可以求表面上静电势的极值

作者
Author: sobereva 时间: 2016-2-18 17:35

chenxin199261 发表于 2016-2-18 12:21
就是把表面静电势值标记在σ-Hole上？
Multiwfn可以求表面上静电势的极值

LZ转的博文只是简单介绍下怎么用Multiwfn显示极值点位置和数值。如果要把数值直接标在图上，自己ps一下，把文本窗口输出的极值标在图上就行了。

作者
Author: 虎王 时间: 2016-2-19 15:01

sobereva 发表于 2016-2-18 17:35
LZ转的博文只是简单介绍下怎么用Multiwfn显示极值点位置和数值。如果要把数值直接标在图上，自己ps一下 ...

是否只有强卤键或者C-X---X键角为直角（C是碳，X是卤素阴离子或连接在有机基团上的卤素原子）时卤键才是静电力主导的？

作者
Author: sobereva 时间: 2016-2-19 15:04

虎王发表于 2016-2-19 15:01
是否只有强卤键或者C-X---X键角为直角（C是碳，X是卤素阴离子或连接在有机基团上的卤素原子）时卤键才是 ...

不一定是强卤键，一般强度的卤键也是静电主导的。
不一定非得为直角，角度稍微大一些也没关系。
明显没有卤键那种取向性的话，静电作用才是比较次要的。

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