计算化学公社

标题: 求助：关于VASP中Ce的两个赝势文件（Ce和Ce_3）的区别 [打印本页]

作者
Author: Adair 时间: 2021-12-24 23:29
标题: 求助：关于VASP中Ce的两个赝势文件（Ce和Ce_3）的区别
本帖最后由 Adair 于 2021-12-24 23:29 编辑

各位老师好，关于VASP中Ce的两个POTCAR文件（赝势库中文件夹名字分别味Ce和Ce_3），如下图所示两者的区别主要是价电子数的不同，Ce有12个价电子，Ce_3有11个价电子，但是我清楚这两个赝势文件的具体差别，所以一下几个问题想请教各位老师： 1. 这两个赝势文件就仅仅是一个价电子的区别么？除了相差一个价电子之外还有什么本质的区别？
2. 这两个文件中VRHFIN分别表示为 VRHFIN =Ce : [core= Kr 4d10]和VRHFIN =Ce : [core=Xe4] s2d1f1不太明白这地放的表示？
3. 鉴于Ce_3赝势文件比正常的赝势文件少一个电子，我能否用Ce_3赝势文件来计算表示体系中Ce电离掉一个价电子后掺杂体系的计算？相当电离掉Ce上的一个价电子的掺杂，但是不明白这两个Ce_3赝势文件少的那个电子具体是哪一层上的电子。
感谢各位老师的解答，谢谢
(, 下载次数 Times of downloads: 16) (, 下载次数 Times of downloads: 26)

作者
Author: bushiyueliang 时间: 2023-12-20 19:11
您好，请问您解决这个问题了吗？我也遇到了，求告知。非常感谢！

欢迎光临计算化学公社 (http://bbs.keinsci.com/)