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标题: VASP怎么加外电场的参数呢？ [打印本页]

作者
Author: Aesar 时间: 2016-3-20 21:39
标题: VASP怎么加外电场的参数呢？

我看文章中有这样的图。关于在VASP加电场我一直有一个疑问：
1、加电场的参数是：
EFIELD= ????
LDIPOL=.TRUE.
IDIPOL= ????

a. 这里的第一个参数EFIELD应该怎么填呢，我看手册单位是eV/A，但是实际用的是V 这两个单位怎么换算呢？
b. IDIPOL是不是一般写Z方向就好了？

2、文献里面说电场强度是V vs SHE。那么我们在计算输入文件里面，要怎么设置呢？比如 vs SHE的 V 是0.3 V，那我们在写EFIELD的时候，是用0.3做换算，还是加上一个什么别的数在换算呢？

认真脸，小白求教中。

作者
Author: 卡开发发 时间: 2016-3-20 23:40
本帖最后由卡开发发于 2016-3-20 23:43 编辑

这个电势大小就是电场强度*对应电场方向的晶格长度（U=Ed）。个人理解是，直接加上的电场对应的电位应该是槽压，电极电势得用work function进行换算（+4.4~4.8V/eV vs SHE）。

作者
Author: Aesar 时间: 2016-3-21 20:42

卡开发发发表于 2016-3-20 23:40
这个电势大小就是电场强度*对应电场方向的晶格长度（U=Ed）。个人理解是，直接加上的电场对应的电位应该是 ...

没听懂您在说什么，请问能不能详细介绍一下？

作者
Author: 卡开发发 时间: 2016-3-22 01:05
本帖最后由卡开发发于 2016-3-22 01:08 编辑

Aesar 发表于 2016-3-21 20:42
没听懂您在说什么，请问能不能详细介绍一下？

文献里面说电场强度是V vs SHE

这个说法显然有问题，电场强度的单位是V/Angstorm。一般第一性原理中直接加上的电场都是均匀电场，满足电场*距离=电势这样的关系（距离通常也就是z方向的晶格长度）。

原则上这个匀电场对应电势并不是我们说的电极电位，从实验上来说，直接加在工作电极和对电极的电位差也不是电极电位差，而是槽压（或者叫槽电压），实际上这个电压可能会被分解，比如溶液电阻、导线等引起的欧姆降等诸多因素。

按照理论电化学那套说法，为了得到电极的氢标电势，通常是将单极的work funtion（eV，work function=Evac-Efermi）与氢标电极电势建立联系（E_SHE=work function*[V]/[eV]-4.4~4.8）。

所以，我认为，很大可能性是文献做了考虑偶极修正的不同电场条件下体系的功函数（如果有些程序偶极修正如果是通过外加电场的话，可能也就难以实现了，当然，其他还有采用等效电荷来逼近的模型）。

建议可以参考一下刘智攀老师和Matthew Neurock的文章。

作者
Author: lwj 时间: 2017-10-11 10:07

卡开发发发表于 2016-3-22 01:05
这个说法显然有问题，电场强度的单位是V/Angstorm。一般第一性原理中直接加上的电场都是均匀电场，满足 ...

老师，可不可以这样理解：实际上电极表面存在一个双电层，外加电场就是双电层的电场，可根据电场方向确定吸附的是阴离子（离子半径）或者阳离子（水和离子半径），来获得双电层厚度，变化电位近似是双电层厚度和电场强度的乘积。

作者
Author: 卡开发发 时间: 2017-10-11 12:03

lwj 发表于 2017-10-11 10:07
老师，可不可以这样理解：实际上电极表面存在一个双电层，外加电场就是双电层的电场，可根据电场方向确定 ...

双电层中电场变化并不是均匀的，所以不能简单通过与距离的乘积来表示电位。而且这个双电层也不是只有紧密层一层，还会涉及到界面上的特性吸附和外面的分散层，所以不能简单通过离子或水合离子半径来确定。

作者
Author: lwj 时间: 2017-10-11 14:14

卡开发发发表于 2017-10-11 12:03
双电层中电场变化并不是均匀的，所以不能简单通过与距离的乘积来表示电位。而且这个双电层也不是只有紧密 ...

虽然在表面存在紧密层和分散层两种，但是反应是在紧密层内发生的，另外测试用的溶液中浓度都比较高，可以近似处理成紧密层，这样做一个大致的判断可以吗？

作者
Author: 卡开发发 时间: 2017-10-11 14:51

lwj 发表于 2017-10-11 14:14
虽然在表面存在紧密层和分散层两种，但是反应是在紧密层内发生的，另外测试用的溶液中浓度都比较高，可以 ...

最多大概估计一个量级，两者之间没有必然联系，因为有可能是多层离子，何况不少阴离子都能发生特性吸附。

作者
Author: lwj 时间: 2017-10-11 15:17
本帖最后由 lwj 于 2017-10-12 09:15 编辑

卡开发发发表于 2017-10-11 14:51
最多大概估计一个量级，两者之间没有必然联系，因为有可能是多层离子，何况不少阴离子都能发生特性吸附。

用来分析电位（电场强度）变化对反应过程影响还行吧

作者
Author: 我爱学习hh 时间: 2024-9-25 14:21
您好，想请问您解决该问题了吗？想请教下它的具体操作是怎样的

作者
Author: weilu 时间: 2024-9-28 12:46

我爱学习hh 发表于 2024-9-25 14:21
您好，想请问您解决该问题了吗？想请教下它的具体操作是怎样的

在别的地方看到是说，看vasp手册直接加电场就行,

ISYM=0(关闭对称性，这个很重要)
LDIPOL=.TRUE.
IDIPOL=3
EFIELD= 0 (units V/A)，我想请问加电场是从结构优化就开始带上，还是说自洽带上，还是最后非自洽带上，谢谢回答

作者
Author: xslq 时间: 2024-10-10 15:27

weilu 发表于 2024-9-28 12:46
在别的地方看到是说，看vasp手册直接加电场就行,

ISYM=0(关闭对称性，这个很重要)

应该是从自洽加入相关参数

作者
Author: lin2206 时间: 2024-11-8 18:49

xslq 发表于 2024-10-10 15:27
应该是从自洽加入相关参数

想问下不用从结构优化处就加电场吗?

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