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标题: 带电荷缺陷形成能问题 [打印本页]

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Author: 1046803176@qq.c 时间: 2022-6-11 13:57
标题: 带电荷缺陷形成能问题
本帖最后由 1046803176@qq.c 于 2022-6-11 13:59 编辑

构建了AlGaN/GaN异质结，想分别计算AlGaN、GaN和界面处带电荷的N空位缺陷形成能；我有以下问题希望各位大佬能帮忙解答以下，谢谢！
[size=16.0064px]Ef = Etot[Xq] - Etot[bulk] - n[size=16.0064px]μ + q（Ev + EF）
[size=16.0064px]

1）根据上面的公式，我如果要算AlGaN中+1价N空位，上面的Ev是对应的AlGaN体材料？还是AlGaN/GaN异质结DOSCAR中的费米能级值？

2）计算界面处的+1价N空位时，Ev是对应的哪一个？

3）计算GaN的+1价N空位时，Ev是对应的哪一个？

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