计算化学公社
标题:
Co3O4掺杂计算应如何设置?
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作者Author:
Tinker
时间:
2016-5-5 19:55
标题:
Co3O4掺杂计算应如何设置?
各位老师,
感谢之前在我帖子里的回复,现在想计算当Co3O4掺杂了N元素后,对O2的吸附能会产生什么影响,我检索了一些资料,有人是通过破坏对称性后直接替换原子,有些是通过设置原子的composition实现。由于我对MS基本是个菜鸟,所以现在有几个问题想请教一下:
请问两种掺杂方法,哪种比较正规一点?
如果是替换原子的方法,需要如何选择被替换的原子呢?
还有一个问题是这样,他们的体系应该是一个O2吸附后在材料上被电化学手段分解的过程,那么通过吸附能的变化去解释反应活性合适吗?他们预期是掺杂之后,吸附更强,但是这样产物解离也更难吗?我个人总觉得吸附过程不是决速步骤。
作者Author:
卡开发发
时间:
2016-5-5 22:36
本帖最后由 卡开发发 于 2016-5-5 22:39 编辑
1、都算是正规方法,前者是属于常规的方法,后者也就是一般说的虚晶近似(VCA),后者MS当中只有CASTEP可以做,DMol3对composition认不得;
2、这个问题我很难说,表面体系相同元素的不等价原子实在太多,也许可以依次做做,也许形成能会呈现一些规律,然后再挑出贡献大的构型来做,当然工作量还是很大的;
3、吸附能虽和活性有关,但不是直接相关,实际存在着吸附或脱附控制的体系。
PS:虚晶近似(VCA)有时候掺杂结构与本征结构比较接近的时候结果还行,如果两者差别太大有时候可能会得到不可靠的结果,好处在于不用去尝试每个原子被替换、被替换的浓度,统计平均的效应已经被考虑了。
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