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标题: 做NEB计算时扩散能垒低于0.1eV合理嘛 [打印本页]

作者
Author: Daisy_zju 时间: 2022-9-14 01:03
标题: 做NEB计算时扩散能垒低于0.1eV合理嘛
本帖最后由 Daisy_zju 于 2022-9-15 20:41 编辑

各位老师，最近在做几种材料表面的扩散能垒计算，其中有种材料表面出现了异常的情况，采用了较松的标准收敛时，频率验证发现分别有17.354655 cm-1、36.253640 cm-1、49.579361 cm-1三个虚频，并且当前的能垒只达到0.07eV左右（因为听说VASP自身计算的误差就有0.2eV），继续进一步提高收敛标准之后不仅能垒会继续降低到0.05eV，力也在不断增大，不知道下一步应该如何改正，并且不到0.1eV的能垒是否可信？
1、neb-1优化轨迹
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2、能势垒图，02和04也不在最高点
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此外，在计算中采用除IOPT=3之外的优化算法均会导致结构混乱，表面几层原子变形，如Li2Se改用IOPT=1之后，不合理的结构如下：
(, 下载次数 Times of downloads: 4)
POSCAR
(, 下载次数 Times of downloads: 3)
CONTCAR

作者
Author: Daisy_zju 时间: 2022-9-15 09:17
我可以自顶嘛

作者
Author: lhydhby 时间: 2022-12-1 15:37
我也有一样的问题，请问你解决了吗，不过你这个势垒图肯定不对，没有跑到最高点。

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