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标题: CP2K模拟固液两相界面AIMD,在溶剂层中添加离子后,统计的结果是否可靠 [打印本页]

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wwp    时间: 2022-9-20 19:19
标题: CP2K模拟固液两相界面AIMD,在溶剂层中添加离子后,统计的结果是否可靠
各位老师好

       我有个问题就是在CP2K里头,做固液两相相界面的AIMD的时候,我在溶液中有一些离子,这个时候模拟的结果是不是可靠的。因为我看到在周期性体系中,好像关于离子的能量计算是不准确的,那么在AIMD中得到了一些结果,像分布函数 是否是可靠,可信的。

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sobereva    时间: 2022-9-21 05:38
“在周期性体系中,好像关于离子的能量计算是不准确的” 完全没这回事,别瞎想
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wwp    时间: 2022-9-21 08:37
sobereva 发表于 2022-9-21 05:38
“在周期性体系中,好像关于离子的能量计算是不准确的” 完全没这回事,别瞎想

那我就直接改个电荷,直接算就可以了吗?
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卡开发发    时间: 2022-9-21 08:45
本帖最后由 卡开发发 于 2022-9-21 09:02 编辑
wwp 发表于 2022-9-21 08:37
那我就直接改个电荷,直接算就可以了吗?

计算带电体系的情况,(没有特定的修正方案的情形下,例如Markov-Payne等)如果你的PoissonSolver边界是PBC的话建议好好测试下能量随着超胞收敛的情况,也许因为屏蔽作用可能衰减比较快这种情况是可以使用,如果并不能收敛,这个能量计算结果没有实际意义。
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wwp    时间: 2022-9-21 10:52
卡开发发 发表于 2022-9-21 08:45
计算带电体系的情况,(没有特定的修正方案的情形下,例如Markov-Payne等)如果你的PoissonSolver边界是P ...

在这里,我没有关系去计算能量的具体数值大小,只是想看一下离子在界面处的分布情况,做一些位置的统计分析。应该就没什么太大关系了吧
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卡开发发    时间: 2022-9-21 11:49
wwp 发表于 2022-9-21 10:52
在这里,我没有关系去计算能量的具体数值大小,只是想看一下离子在界面处的分布情况,做一些位置的统计分 ...

就能量这事情之前VASP社区有人讨论过,结论是同样晶胞尺寸定性横向比较可以。你的问题也许可以定性看看。
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wwp    时间: 2022-9-22 09:56
卡开发发 发表于 2022-9-21 11:49
就能量这事情之前VASP社区有人讨论过,结论是同样晶胞尺寸定性横向比较可以。你的问题也许可以定性看看。

嗯嗯 好的谢谢卡卡老师




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