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标题: 求助vasp进行slab表面优化进行了几个离子步之后出现错误 [打印本页]

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Author: wudixiaofeilong 时间: 2022-10-11 15:41
标题: 求助vasp进行slab表面优化进行了几个离子步之后出现错误
在我进行slab表面优化进行了几个离子步之后，出现这样的错误。采用的 331 k点。会是POSCAR结构的问题吗？我的结构是从数据库下载的单胞，优化bulk后，在MS中进行的切面，加真空，扩胞成slab表面，然后固定部分原子进行的计算。这个错误出现的原因会是哪里呢？？？

作者
Author: sobereva 时间: 2022-10-12 02:08
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问，并清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “vasp催化计算” 改了，以后务必注意，下次将删帖+扣分处理。

看清楚板块再发帖，VASP明显是第一性原理程序，不要发到分子模拟板块，这次给你改了，以后注意

作者
Author: 876449830 时间: 2022-10-12 08:13
设置了ISPIN但不设置MAGMOM？IBRION=1是结构良好，应该有用2吧？EDIFF=1E-5合理一点；这玩意是半导体吗，若是展宽应该是-5；设置了偶极校正可以加上DIPOL关键词。

作者
Author: wudixiaofeilong 时间: 2022-10-13 19:34
这个问题现在是解决了。IBRION=1是跟我老师设的，可以中途改吗？

作者
Author: 阿司匹林泡腾片 时间: 2022-10-13 21:33

wudixiaofeilong 发表于 2022-10-13 19:34
这个问题现在是解决了。IBRION=1是跟我老师设的，可以中途改吗？

要改参数最好重新计算，不然可能不起作用，改参数要慎重

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