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标题: 求助垂直电离势和垂直电子亲和势与电子/空穴注入关系问题 [打印本页]

作者
Author: a-Student 时间: 2022-10-16 21:27
标题: 求助垂直电离势和垂直电子亲和势与电子/空穴注入关系问题
各位老师好，打扰各位老师，我注意到有些文章写到“较小的电离势（VIP）值意味着空穴注入更容易；而垂直电子亲和势（VEA）值将促进电子注入”，我没弄清楚这个依据和本质是什么，请各位老师指点我一下，麻烦老师了。

作者
Author: sobereva 时间: 2022-10-16 22:59
空穴注入相当于令体系带正电，也等价于失去了电子，电离能正是体现失去电子的难易程度，显然二者有密切联系。电子亲和能同理

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