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标题: 荧光光谱与分子电荷转移程度的关系 [打印本页]

作者
Author: a-Student 时间: 2022-10-19 16:44
标题: 荧光光谱与分子电荷转移程度的关系
打扰各位老师一下，请教个问题，文章说较大程度的电荷转移CT行为导致了荧光猝灭现象。电荷转移为什么会影响荧光呢？本质是什么呢？之前在群里问过，但是没有解答，实在是想不通了，所以向各位老师求助，请各位老师指点，或者有相关解释的文献推荐一下，我去研究。麻烦啦

作者
Author: tiandikuoyuan 时间: 2022-10-19 17:58
荧光的振子强度与跃迁偶极矩有关，而电荷转移意味着跃迁前后分子轨道重叠较小，轨道重叠较小也就意味着跃迁偶极矩小，所以一般CT态会导致荧光强度较弱或者淬灭
具体可以看下http://bbs.keinsci.com/thread-1642-1-1.html

作者
Author: a-Student 时间: 2022-10-19 21:32

tiandikuoyuan 发表于 2022-10-19 17:58
荧光的振子强度与跃迁偶极矩有关，而电荷转移意味着跃迁前后分子轨道重叠较小，轨道重叠较小也就意味着跃迁 ...

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