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标题: 求助：DFT计算HfO2/SiO2界面几何结构，是否必须保持界面处绝缘(电中性)？ [打印本页]

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Author: 云霭 时间: 2022-11-10 15:38
标题: 求助：DFT计算HfO2/SiO2界面几何结构，是否必须保持界面处绝缘(电中性)？
在建立界面模型 HfO2/SiO2过程中，有三篇相关文献都采用了电中性界面，这种界面需要的条件比较苛刻，对于非晶SiO2更是如此，请问对于只跑正确几何结构，对能带不做要求，是否可以采用不是严格绝缘的界面模型？

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