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标题: 石墨烯计算问题 [打印本页]

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镇魂歌    时间: 2016-5-26 15:12
标题: 石墨烯计算问题
计算石墨烯原胞的时候是零带隙,有狄拉克点,而计算石墨烯超胞的时候会出现带隙,没有在0上出现狄拉克点

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卡开发发    时间: 2016-5-26 21:48
以前遇到过,这个问题前面仔细研究了一下,结果还是让人瞠目结舌的:
1、单胞计算:对网格进行平移,使之过(-0.333 0.667 0),结果发觉DMol3的kponits offset只能[-0.5,0.5],失败;
2、单胞计算:尝试将(-0.333 0.667 0)包含到SCF过程的KPOINTS中,手工修改了kpoints文件,算出来有带隙,失败;
3、单胞计算:修改bandstr_kpoints文件,将(-0.333 0.667 0 间隔)修改成(-0.333333333 0.666666667 0 间隔),带隙0,成功;
4、4x4超胞计算:过程同3,带隙0,成功。

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镇魂歌    时间: 2016-5-27 09:35
好的,我先试下,谢谢
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镇魂歌    时间: 2016-5-27 10:10
卡开发发 发表于 2016-5-26 21:48
以前遇到过,这个问题前面仔细研究了一下,结果还是让人瞠目结舌的:
1、单胞计算:对网格进行平移,使之 ...

你好,这个是我把石墨烯改成四方结构,那计算这个模型的能带出现了带隙,是取点的原因么

作者
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卡开发发    时间: 2016-5-27 11:57
镇魂歌 发表于 2016-5-27 10:10
你好,这个是我把石墨烯改成四方结构,那计算这个模型的能带出现了带隙,是取点的原因么

如果带隙是0.0*这样的级别的,估计就是我说的那种原因,你可以试试。

作者
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镇魂歌    时间: 2016-5-27 12:10
卡开发发 发表于 2016-5-27 11:57
如果带隙是0.0*这样的级别的,估计就是我说的那种原因,你可以试试。

六方的已经试出来了,有效
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镇魂歌    时间: 2016-6-6 14:50
卡开发发 发表于 2016-5-26 21:48
以前遇到过,这个问题前面仔细研究了一下,结果还是让人瞠目结舌的:
1、单胞计算:对网格进行平移,使之 ...

老师,如果把六方的石墨烯改为四方的,计算的带隙不为零,那band structure.kpoint 应该改哪一个点

作者
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卡开发发    时间: 2016-6-6 15:05
镇魂歌 发表于 2016-6-6 14:50
老师,如果把六方的石墨烯改为四方的,计算的带隙不为零,那band structure.kpoint 应该改哪一个点

四方的高对称点应当不同于六方的,你看下G[0,0,0],X[0,0.5,0],M[0.5,0.5,0]。
作者
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镇魂歌    时间: 2016-6-6 15:12
卡开发发 发表于 2016-6-6 15:05
四方的高对称点应当不同于六方的,你看下G[0,0,0],X[0,0.5,0],M[0.5,0.5,0]。

还是有带隙
作者
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卡开发发    时间: 2016-6-6 15:23
镇魂歌 发表于 2016-6-6 15:12
还是有带隙

我算了个小点的体系没带隙。

你把结构(*.cif)和参数(*.input)发来看看。
作者
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镇魂歌    时间: 2016-6-6 15:37
本帖最后由 镇魂歌 于 2016-6-6 15:40 编辑
卡开发发 发表于 2016-6-6 15:23
我算了个小点的体系没带隙。

你把结构(*.cif)和参数(*.input)发来看看。

好的

作者
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卡开发发    时间: 2016-6-6 17:45
本帖最后由 卡开发发 于 2016-6-6 17:47 编辑
镇魂歌 发表于 2016-6-6 15:37
好的

这个又得说说解决问题的思路,以之前的经验石墨烯做优化结构几乎是不变的,将你的结构和建立的结构直接计算单点能,并且考虑以下问题:
1、对你的结构进行单点能计算:
(1)参考你的input,计算单点能,有带隙,失败;
(2)分别调整多极展开,截断半径,k点,有带隙,失败;
2、按照你的尺寸直接建立的结构进行单点能计算:
(1)参考你的input,计算单点能,无带隙;
3、一样的参数算相同的体系的单点能,为什么结果不同?那可能就是结构不同了,虽然偏差可能不是很大;
(1)参考你的input优化直接建立的结构,有带隙,显然就是优化结构导致的;
(2)分析你的设置中不可靠的因素,其中我认为截断半径出现问题的可能最大,一般建议截断半径还是>4A吧
(3)以你的结构作为初始结构,对你的input仅修改cutoff进行计算,无带隙,成功。
另外还有一点,前面有个地方我也弄错了,这个结构不是正方的,所以高对称点应该要G-X-M-Y[0,0.5,0]。

学会解决问题的方法很重要。

作者
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镇魂歌    时间: 2016-6-7 10:00
卡开发发 发表于 2016-6-6 17:45
这个又得说说解决问题的思路,以之前的经验石墨烯做优化结构几乎是不变的,将你的结构和建立的结构直接计 ...

麻烦您了,谢谢老师。老师,您说的根据我的结构尺寸直接建立的结构是根据晶胞的大小来构建的么
作者
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卡开发发    时间: 2016-6-7 10:27
镇魂歌 发表于 2016-6-7 10:00
麻烦您了,谢谢老师。老师,您说的根据我的结构尺寸直接建立的结构是根据晶胞的大小来构建的么

恩,一模一样的超胞大小。
作者
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镇魂歌    时间: 2016-6-7 10:28
卡开发发 发表于 2016-6-7 10:27
恩,一模一样的超胞大小。

好的,再次谢谢老师
作者
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镇魂歌    时间: 2016-6-23 16:24
本帖最后由 镇魂歌 于 2016-6-27 10:04 编辑
镇魂歌 发表于 2016-6-7 10:28
好的,再次谢谢老师



作者
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镇魂歌    时间: 2016-6-27 10:05
卡开发发 发表于 2016-6-7 10:27
恩,一模一样的超胞大小。


老师,MS input里面哪些参数对能带结构影响比较大,如果能带计算与文献报道的差别较大,一般先调哪些参数(除开物质本身结构)
作者
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卡开发发    时间: 2016-6-27 11:46
镇魂歌 发表于 2016-6-27 10:05
老师,MS input里面哪些参数对能带结构影响比较大,如果能带计算与文献报道的差别较大,一般先调哪些参 ...

能带计算和文献不同大概可以这么考虑吧:

1、结构本身(这个还是得考虑)
如从建模到计算可能出现原子坐标、晶格贴错,单位使用错误等;表面的厚度以及真空层高度等;能带计算可能因为使用超胞大小不同而导致能带折叠,如果不了解能带论的话也会把这个认为不同(其实你也可以明显看到,石墨烯的例子中,四方和六方计算出来的能带不是完全相同的);
2、理论方法
交换关联泛函、赝势都会有些影响,这些大部分都会经过测试,不过某些体系下也还是有一定可能性出问题的;
3、计算参数
如计算精度不足够高,会影响结构和电子结构,如基函数尺寸不充分,展宽使用不合理之类(计算四方的时候截断半径不充分引起的问题你可以看到);还有性质计算中涉及到的一些精度,如空带数、k点、高对称点路径等(你的六方计算问题就出在这)。
4、其他
如程序编译错误,数学库bug这些,版本不同等。

大体上按照这些逐步排除。
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镇魂歌    时间: 2016-6-28 16:41
卡开发发 发表于 2016-6-27 11:46
能带计算和文献不同大概可以这么考虑吧:

1、结构本身(这个还是得考虑)

谢谢老师




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