计算化学公社

标题: 如何计算半导体VBM和CBM的绝对位置？ [打印本页]

作者
Author: wrc 时间: 2023-1-4 21:49
标题: 如何计算半导体VBM和CBM的绝对位置？
通常计算VBM和CBM的绝对位置，是以真空能级为参考进行计算，但是体相材料的真空能级不存在，如何确定绝对位置呢？

作者
Author: sobereva 时间: 2023-1-5 01:03
用slab模型计算功函数，其负值就是将真空作为0点的绝对费米能级。再把体相计算的VBM/CBM与费米能级之差加进去就是绝对的VBM/CBM。

作者
Author: ByTheWay 时间: 2023-1-5 03:19

sobereva 发表于 2023-1-5 01:03
用slab模型计算功函数，其负值就是将真空作为0点的绝对费米能级。再把体相计算的VBM/CBM与费米能级之差加进 ...

感谢sob老师，刚刚想发帖询问这个问题，就发现了sob老师的回答

作者
Author: wrc 时间: 2023-1-6 10:41

sobereva 发表于 2023-1-5 01:03
用slab模型计算功函数，其负值就是将真空作为0点的绝对费米能级。再把体相计算的VBM/CBM与费米能级之差加进 ...

请问老师芯能级校正这种方法可以得到绝对位置吗

作者
Author: 北大-陶豫 时间: 2023-1-6 16:38

wrc 发表于 2023-1-6 10:41
请问老师芯能级校正这种方法可以得到绝对位置吗

我最近研究一个体系 VBM CBM 随键长变化问题，就是选择芯能级校正这种做法的，就是假定芯层电子的能级在不同的化学环境中变化很小，与我们关心的能级变动相比可以忽略不计。

作者
Author: Accelerator 时间: 2023-6-26 17:05

sobereva 发表于 2023-1-5 01:03
用slab模型计算功函数，其负值就是将真空作为0点的绝对费米能级。再把体相计算的VBM/CBM与费米能级之差加进 ...

我有个问题，采取这种做法时的晶面怎么选择？是选择一个普遍合成出来含量较高的晶面（有的体系这种晶面可能还存在不对称等问题）、还是通过某些其他原则确定？

作者
Author: sobereva 时间: 2023-6-26 22:59

Accelerator 发表于 2023-6-26 17:05
我有个问题，采取这种做法时的晶面怎么选择？是选择一个普遍合成出来含量较高的晶面（有的体系这种晶面可 ...

对各种晶面都可以算功函数，取决于实际目的。比如已知某个晶面催化活性强，就是要研究它，那可以计算它的功函数。如果是计算对于实际晶体最有代表性的晶面，那可以取表面能最小的晶面。顺带一提，http://crystalium.materialsvirtuallab.org这个网站把各个晶面的功函数都算了，并给出了权重平均的功函数。

作者
Author: bufanzhi 时间: 2024-3-15 14:46
太强大了，感谢sob老师！

欢迎光临计算化学公社 (http://bbs.keinsci.com/)