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标题: 求助计算氧空位形成能时删掉的氧原子在面上（即2个半个的原子）可以吗 [打印本页]

作者
Author: layer 时间: 2023-1-28 11:52
标题: 求助计算氧空位形成能时删掉的氧原子在面上（即2个半个的原子）可以吗
本帖最后由 layer 于 2023-1-28 12:33 编辑

请教各位老师，我使用vasp计算面上的氧的氧空位形成能算出来的形成能为9点多，很大，晶胞内的氧的形成能正常，为1点多，想问下老师们，形成能9点多是不是不正常？是因为面上的氧不能算氧空位形成能吗，需要再扩胞才能算这个位置的氧空位形成能吗？

如图：算的是蓝色圈住的氧的形成能比较大，其余位置的形成能都是1点多，2点多
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作者
Author: WilliamH 时间: 2023-1-30 14:38
我一般算的是表面的氧空位形成能，跟你算晶胞的有一些区别。目测蓝框标记的氧的化学环境与晶胞内部的都不一样，如果计算参数和流程都是一样的话，结果就具有可比性（说明蓝框标记处的氧空位相对更难形成）。扩胞对于氧空位形成能的计算结果的准确性我认为是有改善的。

作者
Author: layer 时间: 2023-1-30 22:21
受益匪浅，谢谢您

作者
Author: xzf925822454 时间: 2023-7-15 22:10
老师，您好！请问模拟氧空位的话是把那个氧原子删除再进行优化吗？

作者
Author: 甲壳虫 时间: 2024-4-13 19:20

xzf925822454 发表于 2023-7-15 22:10
老师，您好！请问模拟氧空位的话是把那个氧原子删除再进行优化吗？

老哥，你知道怎么算了嘛？我现在知道了两种算法。第一种是扣掉一个氧原子，直接在对结构进行优化和能量计算。第二种是，扣掉一个氧原子，然后固定氧空位周围原子的坐标，再进行结构优化和能量计算。不知道那一种是对的。第一种优化过程中（例如高斯，石墨烯的碳空位缺陷），扣掉碳原子，周围的原子会移动，并优化为五元环。第二种优化要固定周围碳原子坐标。

作者
Author: wzdns 时间: 2024-9-20 15:59

甲壳虫发表于 2024-4-13 19:20
老哥，你知道怎么算了嘛？我现在知道了两种算法。第一种是扣掉一个氧原子，直接在对结构进行优化和能量计 ...

有答案了嘛？

作者
Author: Rain_yyr 时间: 2025-4-5 20:32

甲壳虫发表于 2024-4-13 19:20
老哥，你知道怎么算了嘛？我现在知道了两种算法。第一种是扣掉一个氧原子，直接在对结构进行优化和能量计 ...

第一种算法应该是电子离域状态的，第二种是电子固定在氧空位内的。

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