计算化学公社

标题: 求助：vasp计算报错“the old and the new charge density differ” [打印本页]

作者
Author: liheng 时间: 2023-3-12 16:15
标题: 求助：vasp计算报错“the old and the new charge density differ”
本帖最后由 liheng 于 2023-3-12 16:19 编辑

各位老师大家好：
背景：课题原因，最近准备做离子注入实验。所以在此之前想先定性了解一下离子注入表面（Cs注入Mo表面）后其电荷分布，电势，功函数，偶极矩等信息。所以先是用cp2k分别优化了“Cs在不同表面深度下替代Mo原子”的结构。（之所以不是直接参杂而是替代，是因为前者优化过程中出现很大问题，计算内存逐步爆涨，结构也难以收敛，通常在没有收敛的情况下就已经“out fo memory”；虽然后者计算内存也爆涨，但好在能收敛）。

正题：经由cp2k优化好的结构进行vasp计算，就出现报错：“BRMIX: very serious problems the old and the new charge density differ old charge density: 1114.50000 new 1115.00003”。我一共提交了五个不同的结构（对应五种不同表面深度），全部在第12步电子步时出现这种错误。尝试了网上的很多办法，包括增加K点，NBANDS等，都无效！所以想请问各位老师有没有好的建议，谢谢！

计算使用的INCAR等文件见附件！

作者
Author: sobereva 时间: 2023-3-12 19:07
何不直接用CP2K算所有的，用CP2K都能很好地完成

作者
Author: liheng 时间: 2023-3-13 14:38

sobereva 发表于 2023-3-12 19:07
何不直接用CP2K算所有的，用CP2K都能很好地完成

主要是我不会用cp2k计算功函数和偶极矩，尤其是整个cell的电荷分布，cp2k好像有点麻烦。vasp我用习惯了，有CHGCAR就行了，自己用matlab编一个小程序就搞定了

作者
Author: sobereva 时间: 2023-3-13 21:38

liheng 发表于 2023-3-13 14:38
主要是我不会用cp2k计算功函数和偶极矩，尤其是整个cell的电荷分布，cp2k好像有点麻烦。vasp我用习惯了， ...

CP2K丝毫不麻烦
在下文介绍的Multiwfn产生CP2K输入文件的界面里直接就有选择导出cube文件的功能，电子密度cube文件和Hartree势（静电势的负值）都能直接导出
使用Multiwfn非常便利地创建CP2K程序的输入文件
http://sobereva.com/587（http://bbs.keinsci.com/thread-21668-1-1.html）

Hartree势导出成cube文件后按下文的方法直接就能得到平面平均静电势
使用CP2K结合Multiwfn绘制密度差图、平面平均密度差曲线和电荷位移曲线
http://sobereva.com/638（http://bbs.keinsci.com/thread-28225-1-1.html）

整个过程任何其它第三方程序，什么matlab脚本都不需要

作者
Author: liheng 时间: 2023-3-14 19:24
我用cp2k计算了一下，但是失败了，内存不够。我用64个核跑，分配了448个G的内存，但还是不行。之前跑其他模型或任务都很轻松的，一跑这个就容易报错，不知道是不是模型有问题。之前我先跑了结构优化，勉强能跑完。这次跑能量计算，不过是把K点从（4*4*1）提高到（7*7*1），把DZVP基组换成TZVP，就不行了。

作者
Author: xzzjl 时间: 2024-1-4 23:38
本帖最后由 xzzjl 于 2024-11-2 08:57 编辑

试试看这个？
https://tpmk.github.io/2022/01/2 ... rge-density-differ/

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