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标题: 用不同晶体(如Ga2O3和ZnGa2O4)的相同表面的d带中心描述吸附能差异是否可行? [打印本页]

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Author: KIFOOY 时间: 2023-7-12 09:47
标题: 用不同晶体(如Ga2O3和ZnGa2O4)的相同表面的d带中心描述吸附能差异是否可行?
如题，请教各位大佬，我拟定用两种不同的晶体，比如Ga2O3和ZnGa2O4模拟对苯甲醇的吸附能，然后用d带中心理论去解释这两者的吸附能差异，不知是否可行？
我查到文献中描述d带中心可以用相同晶体的不同晶面，可以用相似晶体，或者相似团簇，我用的这两种晶体差异比较大，晶胞参数和点群都不相同。
用的是VASP软件，打算就用GGA去计算DOS，不加U值。

作者
Author: sobereva 时间: 2023-7-12 09:55
如果是物理吸附，靠d带中心没什么用。这种情况适合通过表面静电势、范德华势等角度分析

作者
Author: KIFOOY 时间: 2023-7-12 10:35

sobereva 发表于 2023-7-12 09:55
如果是物理吸附，靠d带中心没什么用。这种情况适合通过表面静电势、范德华势等角度分析

谢谢老师的指点，这个工作里我想考虑的吸附物种其实不止苯甲醇，还包括苯甲醛，苯甲酸，苯甲醛自由基，超氧自由基一类的反应活性物种。倘若在确定表面由一种原子，比如Ga决定吸附的前提下（更有可能是化学吸附），不知道用Ga的d带中心描述两种表面是否合适。

作者
Author: sobereva 时间: 2023-7-12 16:40

KIFOOY 发表于 2023-7-12 10:35
谢谢老师的指点，这个工作里我想考虑的吸附物种其实不止苯甲醇，还包括苯甲醛，苯甲酸，苯甲醛自由基，超 ...

Ga是p族的，成键不主要和d轨道相关，用d带中心不合适

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Author: KIFOOY 时间: 2023-7-12 16:54

sobereva 发表于 2023-7-12 16:40
Ga是p族的，成键不主要和d轨道相关，用d带中心不合适

感谢老师，那我就尝试用静电势和范德华势模拟一下

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