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标题: Multiwfn分析TADF激发态性质时，如电子-空穴、NTO分析等，应该选取哪个激发过程？ [打印本页]

作者
Author: jgztt 时间: 2023-7-27 09:44
标题: Multiwfn分析TADF激发态性质时，如电子-空穴、NTO分析等，应该选取哪个激发过程？
本帖最后由 jgztt 于 2023-7-27 09:58 编辑

请问使用Multiwfn做TADF分子的相关激发态性质分析时，NTO，电子-空穴，IFCT等，应该选取哪个激发过程（计算结果）呢？
比如分析S1态的特征，应该分析S0→S1的垂直吸收（优化后的S0结构做TD单点），还是S1→S0（初态）的垂直发射（TD优化后的S1.fchk）呢？
PS：RISC过程采用绝热能隙，相关激发态已在TD水平下优化。
感谢！

作者
Author: 身在盘丝洞 时间: 2023-7-27 13:54
我一直用的0到1去做NTO分析，我也想知道为什么

作者
Author: sobereva 时间: 2023-7-28 01:47
那些分析都是直接用于垂直过程的。可以对垂直吸收和垂直发射都分析，看有什么差异，如果有明显差异的话再去解释原因，讨论激发特征对几何结构的依赖性

作者
Author: jgztt 时间: 2023-7-28 08:56

sobereva 发表于 2023-7-28 01:47
那些分析都是直接用于垂直过程的。可以对垂直吸收和垂直发射都分析，看有什么差异，如果有明显差异的话再去 ...

明白，谢谢老师！

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