计算化学公社

标题: 使用cp2k优化NiO的问题 [打印本页]

作者
Author: qqppoqq 时间: 2023-8-19 15:32
标题: 使用cp2k优化NiO的问题
本帖最后由 qqppoqq 于 2023-8-19 20:30 编辑

各位老师好，我近期做一个课题要考察NiO(200)表面。

之后我想用cp2k试着做一个几何优化的时候，
我参照了科音cp2k第一性原理培训班的课件上面设置Fe2O3的方法设置了反磁性，即每一层都设置相反的磁性。然后使用Diag的方法进行优化。设置了K点。
然后进行优化：
首先原胞的优化是可以收敛的，PBEsol
接下来切平面，PBE+DZVP-MOLOPT-SR-GTH。K点设为7,7,1。加了15A的真空层。这一步一开始几个离子步在128步前没有收敛，然后逐渐收敛了。

接下来优化扩胞，PBE+DZVP-MOLOPT-SR-GTH，K点设为4,4,1。这一步还是花了很多时间，关键是SCF都要跑到128，虽然最后结果是收敛了，但是却花费了很多时间

最后是加入原子在表面进行吸附，K点设置为4,4,1。但是这一步却不能收敛了。电子步只能到0.00几，最后离子步跑了80多步，还是不能收敛，所以我

我做了一下的改进
1.我更改NBROYDEN到16，以及修改ALPHA为0.1，跑了80多步还是没有观察到收敛的趋势。
2.我把优化的方法改为CG，也没有观察到收敛的趋势。
2.使用OT的算法，跑了40多步没有观察到收敛的趋势。

现在我不知道怎么优化，所以我把我的输入文件传上来，请各位老师帮我检查检查，看看有那些地方错了，该怎么调整。谢谢！
其中，序号为1的是代表原胞的优化。
序号为2的文件代表的是切平面加上真空层的优化。
序号为3的文件代表的是扩胞的优化。对于3扩胞后的结果，我只上传了最后的几个iterations，因为整个文件太大了。
序号为4的文件代表的是表面吸附分子的优化。

作者
Author: sobereva 时间: 2023-8-19 18:51
主动交代清楚上传的各个文件对应什么
随便看了一个，4.supercell-1 COS.inp，都没设k点，显然不行

作者
Author: qqppoqq 时间: 2023-8-19 20:23
本帖最后由 qqppoqq 于 2023-8-20 14:00 编辑

老师这个4.supercell-1 COS.inp，我之前使用K点的计算没有收敛，我才试试OT算法的。我附上之前使用K点计算的吸附COS的文件。OT算法是不是不能加K点呀？对不起老师，我一开始没解释清楚，我把每个序号的意思都解释了，放在1楼最后那里。

作者
Author: wintercherry 时间: 2023-9-27 08:39
请问楼主，这个问题解决了么，我也遇到了同样的问题。

作者
Author: qqppoqq 时间: 2023-10-2 15:18
使用OT算法，选择revPBE，然后OT的算法调整，就能收敛了

欢迎光临计算化学公社 (http://bbs.keinsci.com/)