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标题: 求助：cp2k计算吸附体系的Hirshfeld-I总电荷不为0？电负性小的吸附物为什么会带负电？ [打印本页]

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Author: liheng 时间: 2023-9-17 03:34
标题: 求助：cp2k计算吸附体系的Hirshfeld-I总电荷不为0？电负性小的吸附物为什么会带负电？
本帖最后由 liheng 于 2023-9-22 18:13 编辑

我在计算Cu在Mo金属表面的吸附体系时用cp2k计算了体系的Hirshfeld-I电荷，因为要做差分电荷密度，所以基底+吸附物，基底，吸附物都分别计算了Hirshfeld-I电荷和cube文件。
然后发现：

1. 基底+吸附物的总电荷以及基底（去除吸附原子）的总电荷分别都不为0，而是0.02。只有单独计算吸附原子时其总电荷为0。

2. 按照电负性的概念：Cu为1.90（Pauling scale），Mo为2.16。所以Cu因该带正电，Mo应该带负电才对吧？但是计算的结果并不总是这样，在低覆盖度（2/16）时Cu是负电的，这就有点矛盾了。在高覆盖度时，Cu是带正电的。所以，我想问是不是在这种吸附体系下，是不是电负性小的就一定带正电？这个观点正确吗？看过一些相关的吸附电荷转移的文章，发现里面老喜欢引用这个观点。

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