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标题: VASP计算LaB6(100)表面上氧气分子的吸附能过大 [打印本页]

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Author: Adonis 时间: 2023-10-23 16:25
标题: VASP计算LaB6(100)表面上氧气分子的吸附能过大
我用VASP计算LaB6(100)表面上氧气分子的吸附能,氧气分子和干净的LaB6(100)均已收敛,吸附构型接近收敛(相邻两个离子步的能量变化已经小于0.01eV),于是想预估一下计算的吸附能为多少,得到的结果是-4.51eV.因此即使等到吸附构型收敛,计算得到的吸附能大概也在-4.51eV范围附近,这是一个很大的数值,因此想请教一下造成这种情况的原因.
氧气分子采用单点计算,放在17×17.5×18的晶胞里,EDIFF=1E-4,EDIFFG=-0.03,SIGMA=0.05,截断能设置为420eV.对于干净的表面模型和吸附构型,收敛标准不变,为消除吸附质的周期性影响的影响,采用4×4×1的超晶胞计算,k点设置为2×2×1.具体的文件放在目录,在此请大家赐教.

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