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标题: VASP计算NiO（111）表面DOS问题求助 [打印本页]

作者
Author: 蓝天之约 时间: 2023-11-17 09:56
标题: VASP计算NiO（111）表面DOS问题求助
我想利用GGA+U的方法计算氧化镍（111）晶面的DOS图，已经利用bulk确定了计算参数，INCAR文件附上，氧化镍的BULK也没有什么问题，费米面没有电子分布，宽禁带半导体特性。但是在算slab模型的时候DOS图显示费米能级处有电子分布，呈现半金属特征，但是在后面出现了bandgap，图是用p4v画的，已经对齐了费米能级，感觉应该是slab模型计算的DOS有问题，我看文献上slab计算出的结果也是宽禁带半导体特征，slab模型的INCAR也附上，希望大家可以帮我看看，不胜感激。

作者
Author: 淦饭青年 时间: 2023-11-18 20:56
可以考虑在层底部加个钝化试试，但是我感觉这个slad咋弄都会有悬挂建造成表面态在费米能级出现。要么文献放的就是bulk的能带还有态密度。

作者
Author: 蓝天之约 时间: 2023-11-18 21:09

淦饭青年发表于 2023-11-18 20:56
可以考虑在层底部加个钝化试试，但是我感觉这个slad咋弄都会有悬挂建造成表面态在费米能级出现。要么文献放 ...

感谢感谢，文献这篇文章里面写的是slab（111）面的DOS图，小白刚入门，还不太清楚啥是底部加个钝化，我先去查一下，谢谢！

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