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标题: 请教老师关于不同分子表面建模该不该用H饱和的问题 [打印本页]

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Author: ddddnight 时间: 2023-12-6 17:37
标题: 请教老师关于不同分子表面建模该不该用H饱和的问题
老师，之前和群友交流，有两个问题1. 如果切同一个表面（001）是否要考虑不同厚度的时候暴露不同原子的表面的性质呢？
2. 实验条件都是高温熔岩焙烧，没有溶液的情况下，暴漏不同的原子的时候，有的表面处于饱和状态，有的处于不饱和状态，比如图片1这种表面需要饱和吗？还有就是图片2这种，在gaussview和MS中都是这中不饱和的，但是在vesta中就是饱和的，如图3所示，请问需要用H来饱和吗
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Author: 丁越 时间: 2023-12-7 10:06
本帖最后由丁越于 2023-12-7 10:25 编辑

对于氧化物而言，表面端暴露的都是氧原子，所以切面的时候调整优先暴露原子是氧原子即可，当考虑slab所在的化学环境时，比如液相等，还需要考虑是否给O原子加H。此外，对于一些共价化合物切面后需要把底部的原子用赝氢饱和避免底端悬键的影响。

一般情况下看着slab足够厚，下端的原子能表现bulk的性质就行了，不需要繁琐的测试。

是否显示成键与配位饱不饱和没关系，仔细看“http://sobereva.com/414”。高温状态下H很容易和表面O反应生成水脱出去，不用考虑用H饱和。

作者
Author: ddddnight 时间: 2023-12-7 11:01

丁越发表于 2023-12-7 10:06
对于氧化物而言，表面端暴露的都是氧原子，所以切面的时候调整优先暴露原子是氧原子即可，当考虑slab所在的 ...

谢谢老师的回答，请问我这种切法暴漏Al啊或者其他的原子在外面是不是不对呀，算了好多天

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Author: 丁越 时间: 2023-12-7 11:19

ddddnight 发表于 2023-12-7 11:01
谢谢老师的回答，请问我这种切法暴漏Al啊或者其他的原子在外面是不是不对呀，算了好多天

看你研究目的，如果不研究不同原子的表面暴露对表面性质的影响的话就把表面切成O暴露

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Author: ddddnight 时间: 2023-12-7 12:16

丁越发表于 2023-12-7 11:19
看你研究目的，如果不研究不同原子的表面暴露对表面性质的影响的话就把表面切成O暴露

好的，我明白了，谢谢老师

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