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标题: 求助缺陷能级在能带间隙中的问题 [打印本页]

作者
Author: xmuqyj 时间: 2023-12-20 22:15
标题: 求助缺陷能级在能带间隙中的问题
本帖最后由 xmuqyj 于 2023-12-26 19:48 编辑

我目前在做氮缺陷C3N4，用的是HSE杂化泛函做能带，能带图由vaspkit252输出。

我有两个问题，一能带图的能带间隙要忽略缺陷能级吗，我看了两篇文献，处理方法不一样；二如果能带图中导带或者价带越过了0点（费米能级），这时候能带间隙是以vaspkit为准（约为0.0几），还是直接测量禁带宽度呢？
我的能带vaspkit输出：

+-------------------------- Summary ----------------------------+
         Spin Channel:    <UP>    <DOWN>    <TOTAL>
         Band Gap (eV): 0.0364    0.0364    0.0364
  Eigenvalue of VBM (eV): -2.3899    -2.3899    -2.3899
  Eigenvalue of CBM (eV): -2.3535    -2.3535    -2.3535
   Fermi Energy (eV): -2.3807    -2.3807    -2.3807
Highest-Occupied Band:    131    131       131
  Lowest-Unoccupied Band:    131    131       131
Location of VBM (UP): 0.2778    0.2778    0.0000
Location of CBM (UP): 0.3333    0.3333    0.0000
Location of VBM (DW): 0.2778    0.2778    0.0000
Location of CBM (DW): 0.3333    0.3333    0.0000
Location of VBM (TO): 0.2778    0.2778    0.0000
Location of CBM (TO): 0.3333    0.3333    0.0000
** Notice: A tiny gap implies your system might be metallic. **
+---------------------------------------------------------------+

作者
Author: xmuqyj 时间: 2023-12-21 21:51
@卡开发发请老师不吝赐教！！

作者
Author: 卡开发发 时间: 2023-12-22 02:05

xmuqyj 发表于 2023-12-21 21:51
@卡开发发请老师不吝赐教！！

谈不上赐教，这个问题了解有限，仅讨论一下。
1、这部分内容你可以好好看一下半导体物理的书，计算程序给出来的gap一般是根据电子占据情况来的，和半导体物理上的定义不完全一样，不过对于电离能或电子亲和能的讨论应该不会有什么影响。
2、不同文献的Ef在处理的时候有可能会不太一样，有些是Ef移动到0，有些是Ev移动到0，或者算出来啥样就那么放上去的，得看看图注怎么说。最后那副图比较奇怪，gap上方的能级至少看上去是比0小的，并不太清楚作者实际怎样处理。

作者
Author: 小包 时间: 2024-10-9 17:58
请问您解决了吗，我也遇到了同样的问题，没有找到您发的K@C3N4这篇文章能发我一下吗，十分感谢

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