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标题: 关于寻找局域激发能量最低点 [打印本页]

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遗忘爱神    时间: 2016-10-9 20:46
标题: 关于寻找局域激发能量最低点
对于涉及到电荷转移激发态的分子,它在激发之后会比较容易发生扭转到达电荷转移态(ICT),但是如果不扭转应该会有一个局域激发的能量最低点(LE minimum),类似基态结构垂直激发。
在高斯中用关键词td opt,初始结构设为基态能量最小点,很容易走到ICT态上,不知道诸位有没有什么办法/加关键词可以解决这个问题的?

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sobereva    时间: 2016-10-9 22:51
只能优化时冻住扭转角,没法以电子态特征作为优化时的限制条件
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遗忘爱神    时间: 2016-10-9 23:24
sobereva 发表于 2016-10-9 22:51
只能优化时冻住扭转角,没法以电子态特征作为优化时的限制条件

只冻住二面角并没有办法保证它是LE态的最小点。
我是这样想的:opt寻找局域最小点,而LE态和基态初始结构相差不会太远,可不可以用opt=tight或者是缩小步长尽力让它不要走到扭转的电荷转移态上。
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sobereva    时间: 2016-10-9 23:31
遗忘爱神 发表于 2016-10-9 23:24
只冻住二面角并没有办法保证它是LE态的最小点。
我是这样想的:opt寻找局域最小点,而LE态和基态初始结 ...


你可以对二面角进行柔性扫描,看角度在多少范围内算LE

LE态未必有对应的极小点,如果真有对应的极小点,那当然只要初猜合适,步长上限不允许太大就肯定能收敛到那里。这跟tight毫无关系。
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小范范1989    时间: 2016-10-10 07:43
我说一下我的理解哈,不一定对,只是我的理解:
1:基于基态结构,做一下td,看一下轨道跃迁,比如说S1是HOMO到LUMO跃迁,通过看分布,知道HOMO到LUMO分开了,所以S1很有可能是ICT
如果看到S2是HOMO-1到LUMO,然而两个分布是重合的,那么这个S2很有可能是LE。所以,咱们就来优化这个S2
2:对1中选定的态,进行优化,比如S2: opt td (singlet,root=2,nstates=6)
3:个人见解,不一定对哈
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遗忘爱神    时间: 2016-10-10 15:40
小范范1989 发表于 2016-10-10 07:43
我说一下我的理解哈,不一定对,只是我的理解:
1:基于基态结构,做一下td,看一下轨道跃迁,比如说S1是H ...

不是的,我这个分子如果垂直激发到S1,那就是LE。但是在S1态会很容易发生扭转,一旦扭转就是电荷转移态。
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小范范1989    时间: 2016-10-10 16:02
遗忘爱神 发表于 2016-10-10 15:40
不是的,我这个分子如果垂直激发到S1,那就是LE。但是在S1态会很容易发生扭转,一旦扭转就是电荷转移态。

偶,这样子啊
如果s1就是这种ICT,如何找他的LE?
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brothers    时间: 2016-10-10 18:17
遗忘爱神 发表于 2016-10-10 15:40
不是的,我这个分子如果垂直激发到S1,那就是LE。但是在S1态会很容易发生扭转,一旦扭转就是电荷转移态。

虽然垂直吸收是LE,但并不能保证存在一个极小点实现LE发射。
1、如果实验上观察不到双发荧光(LE+CT),那就证明S1势能面上确实不存在一个LE的极小点,你TD OPT收敛到CT态是对的。
2、如果实验上存在双发荧光,证明确实存在一个LE发射,那么可以扫一下势能面看看势能面的具体情况,找一个LE附近的初猜,maxstep设的不要太大,优化试试,也许能得到你所期望的极小点。如果一个泛函找不到,可以尝试换换泛函




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