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标题: Gaussian16优化Cu-BDC时出现Inv3 failed in PCMMkU报错 [打印本页]

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Yuan1105    时间: 2023-12-25 00:09
标题: Gaussian16优化Cu-BDC时出现Inv3 failed in PCMMkU报错
软件版本Gaussian 16, Revision B.01
准备优化Cu-TPA的一个最小单元,由于第一次优化MOF体系,根据以往优化小分子时经验选择了基组和赝势。文件在140圈左右报错,显示Inv3 failed in PCMMkU
想请教一下各位大佬,MOF结构搭建以及基组与赝势选择是否合理,对于Cu-MOF我是否可以直接使用B3LYP/6-31g(d,p)而不使用赝势。
以及对于此次计算报错是输入文件书写问题或是高斯在使用溶剂模型时本身有一定的bug。
文件如下,感谢大家

作者
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sobereva    时间: 2023-12-26 04:13
看清楚板块再发贴,Gaussian的问题发到分子模拟版块干什么?这次给你移动了,以后注意
作者
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sobereva    时间: 2023-12-26 04:33
跟用不用赝势没关系。本来用赝势对此体系能稍微节约些耗时,没理由刻意改用全电子基组

用IEFPCM再试(opt freq任务本来就不建议用SMD)。如果还不行尝试更新的Gaussian诸如G16 C.02
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Yuan1105    时间: 2023-12-26 08:57
sobereva 发表于 2023-12-26 04:13
看清楚板块再发贴,Gaussian的问题发到分子模拟版块干什么?这次给你移动了,以后注意

谢谢卢老师,下次一定注意分类
作者
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Yuan1105    时间: 2023-12-26 09:00
sobereva 发表于 2023-12-26 04:33
跟用不用赝势没关系。本来用赝势对此体系能稍微节约些耗时,没理由刻意改用全电子基组

用IEFPCM再试(op ...

谢谢卢老师,我用IEFPCM重新优化看看,知道建模比较合适没有出现太大纰漏,可以放心继续改进优化了。




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