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标题: 能否在使用CP2K对晶体优化时对晶体一个方向上施加外力呢？ [打印本页]

作者
Author: jiushizhege 时间: 2023-12-25 12:05
标题: 能否在使用CP2K对晶体优化时对晶体一个方向上施加外力呢？
请问各位老师，能否在使用CP2K对晶体优化时，对晶体一个方向上施加外力呢，这个该怎样施加呢？

作者
Author: logzzz 时间: 2023-12-25 13:32
http://sobereva.com/587
使用Multiwfn非常便利地创建CP2K程序的输入文件
-1任务选择选择4，然后选择12。可根据需求创建输入文件。

作者
Author: sobereva 时间: 2023-12-26 04:27
“晶体一个方向上施加外力” 这种描述很奇怪，完全不知道你想怎么施加。对于晶胞层面，只能说设置外压，外压可以不同方向分别指定

作者
Author: jiushizhege 时间: 2023-12-26 13:41

logzzz 发表于 2023-12-25 13:32
http://sobereva.com/587
使用Multiwfn非常便利地创建CP2K程序的输入文件
-1任务选择选择4，然后选择12。 ...

好的感谢感谢

作者
Author: jiushizhege 时间: 2023-12-26 13:42

sobereva 发表于 2023-12-26 04:27
“晶体一个方向上施加外力” 这种描述很奇怪，完全不知道你想怎么施加。对于晶胞层面，只能说设置外压，外 ...

老师就是模仿机械化学的环境，想探究外力对于物质的影响

作者
Author: sobereva 时间: 2023-12-27 01:16

jiushizhege 发表于 2023-12-26 13:42
老师就是模仿机械化学的环境，想探究外力对于物质的影响

设外压然后做变胞优化就可以研究

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